[发明专利]一种硅片金相样品的简易制备方法无效
| 申请号： | 201210064597.7 | 申请日： | 2012-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN102589951A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 宫龙飞;王风振 | 申请（专利权）人： | 苏州协鑫工业应用研究院有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 肖明芳 |
| 地址： | 215000 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 金相 样品 简易 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅片金相样品的简易制备方法，其特征在于，它包括如下步骤：
(1)选取平整的圆柱作为硅片的载板；
(2)将热熔胶置于载板上表面，加热载板至热熔胶熔化；
(3)将硅片平放在载板上表面且覆盖于热熔胶之上，用另一个平整的压块施压于硅片上；
(4)冷却载板至室温，使热熔胶固化；
(5)对步骤(4)制备好的样品进行抛光处理；
(6)抛光处理后，重新加热载板使固熔胶熔化，硅片脱落取下；
(7)清洗硅片，完成超薄硅片的金相制样。
2.根据权利要求1所述的硅片金相样品的简易制备方法，其特征在于，所述的硅片厚度在250μm以下。
3.根据权利要求1所述的硅片金相样品的简易制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述的圆柱材质为不锈钢、硬质合金或陶瓷。
4.根据权利要求1所述的硅片金相样品的简易制备方法，其特征在于，步骤(2)和步骤(6)中，载板的加热温度为70～100℃。
5.根据权利要求1所述的硅片金相样品的简易制备方法，其特征在于，步骤(3)中，压块的质量为50～100g。
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