[发明专利]一种静电保护触发电路有效
| 申请号： | 201210063852.6 | 申请日： | 2012-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN103311913B | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 苏庆;王邦磷;邓樟鹏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04;H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种静电保护触发电路，包括：第一开关电路、第二开关电路、第一PMOS管、第二PMOS管和第一NMOS管；第一PMOS管和第二PMOS管的源极接静电进入端，第一PMOS管的栅极接地，第一PMOS管的漏极与第一开关电路的输出端、第二PMOS管的栅极和第二NMOS管的栅极相连；第一开关电路的输入端、第一NMOS管的源极和第二开关电路的输出端均接地；第一NMOS管的漏极、第二PMOS管的漏极与第二开关电路的输入端相连，作为本电路的触发输出端接N型ESD保护器件的栅极/衬底端。本发明的静电保护触发电路具有低触发电压，高电流泄放能力，能为静电保护器件提供稳定、快速的触发源。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 静电 保护 触发 电路 | ||
【主权项】：
一种静电保护触发电路，其特征是：由第一开关电路、第二开关电路、第一PMOS管、第二PMOS管和第一NMOS管组成；第一PMOS管和第二PMOS管的源极接静电进入端,第一PMOS管的栅极接地，第一PMOS管的漏极与第一开关电路的输出端、第二PMOS管的栅极和第一NMOS管的栅极相连；第一开关电路的输入端、第一NMOS管的源极和第二开关电路的输出端均接地；第一NMOS管的漏极、第二PMOS管的漏极与第二开关电路的输入端相连；静电来临时，第一开关电路发生击穿，该静电保护触发电路输出端电压不高于第二开关电路正向导通电压。
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