[发明专利]反相器有效
| 申请号： | 201210057047.2 | 申请日： | 2008-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN102593188A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 大藤将人;安部胜美;林享;佐野政史;云见日出也 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 罗银燕 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及反相器。所述反相器包括形成在基板上的多个氧化物半导体薄膜晶体管，其中，所述多个氧化物半导体薄膜晶体管之中的每一个包含选自In、Ga和Zn的至少一种元素，至少两个氧化物半导体薄膜晶体管的沟道层的厚度互不相同，以及所述两个氧化物半导体薄膜晶体管的阈值电压互不相同。 | ||
| 搜索关键词： | 反相器 | ||
【主权项】：
一种反相器，包括形成在基板上的多个氧化物半导体薄膜晶体管，其中，所述多个氧化物半导体薄膜晶体管之中的每一个包含选自In、Ga和Zn的至少一种元素，其中，至少两个氧化物半导体薄膜晶体管的沟道层的厚度互不相同，以及其中，所述两个氧化物半导体薄膜晶体管的阈值电压互不相同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佳能株式会社，未经佳能株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210057047.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
