[发明专利]反相器有效
| 申请号： | 201210057047.2 | 申请日： | 2008-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN102593188A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 大藤将人;安部胜美;林享;佐野政史;云见日出也 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 罗银燕 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 反相器 | ||
1.一种反相器，包括形成在基板上的多个氧化物半导体薄膜晶体管，
其中，所述多个氧化物半导体薄膜晶体管之中的每一个包含选自In、Ga和Zn的至少一种元素，
其中，至少两个氧化物半导体薄膜晶体管的沟道层的厚度互不相同，以及
其中，所述两个氧化物半导体薄膜晶体管的阈值电压互不相同。
2.根据权利要求1的反相器，其中，如果供给下述电源电压，则所述反相器操作：所述电源电压满足所述两个氧化物半导体薄膜晶体管的阈值电压之间的差为所述电源电压的70％或更大且200％或更小的条件。
3.根据权利要求1的反相器，
其中，所述反相器具有以下构成中的至少一种：
所述两个氧化物半导体薄膜晶体管中的第一晶体管的源极电极的构成材料和所述两个氧化物半导体薄膜晶体管中的第二晶体管的源极电极的构成材料互不相同的构成；
所述第一晶体管的漏极电极的构成材料和所述第二晶体管的漏极电极的构成材料互不相同的构成；以及
所述第一晶体管的栅极电极的构成材料和所述第二晶体管的栅极电极的构成材料互不相同的构成。
4.根据权利要求1的反相器，
其中，所述反相器具有以下构成中的至少一种：
所述两个氧化物半导体薄膜晶体管中的第一晶体管的源极电极的构成材料的性能和所述两个氧化物半导体薄膜晶体管中的第二晶体管的源极电极的构成材料的性能互不相同的构成；
所述第一晶体管的漏极电极的构成材料的性能和所述第二晶体管的漏极电极的构成材料的性能互不相同的构成；以及
所述第一晶体管的栅极电极的构成材料的性能和所述第二晶体管的栅极电极的构成材料的性能互不相同的构成。
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