[发明专利]一种动态随机存取存储器的变频方法有效
| 申请号： | 201210056165.1 | 申请日： | 2012-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN103295622A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 操冬华;胡胜发 | 申请（专利权）人： | 安凯（广州）微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/406 | 分类号： | G11C11/406 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 510663 广东省广州市萝岗区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种DRAM的变频方法，包括：冻结与该DRAM相关的外部设备，禁止外部设备输出请求新数据的指令；控制DRAM进入省电模式或进行自刷新；将第一变频代码拷贝至预设缓冲区；运行第一变频代码，控制锁相环将DRAM的时钟频率调整至预设频率；控制DRAM退出省电模式或停止自刷新；解冻外部设备，允许外部设备输出请求新数据的指令。基于本发明公开的变频方法，在DRAM进行变频过程中，微处理器不会向DRAM发出访问请求，保证了微处理器不会从DRAM中获取错误数据，而是将已缓存的有效数据传输至外部设备，确保在DRAM变频过程中，外部设备不会获取错误数据的问题，进而提高用户的用户体验。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 动态 随机存取存储器 变频 方法 | ||
【主权项】：
一种动态随机存取存储器DRAM的变频方法，其特征在于，包括：冻结与所述DRAM相关的外部设备，禁止所述外部设备输出请求新数据的指令；控制所述DRAM进入省电模式或进行自刷新；将第一变频代码拷贝至预设缓冲区；运行所述第一变频代码，控制锁相环将所述DRAM的时钟频率调整至预设频率；控制所述DRAM退出省电模式或停止自刷新；解冻所述外部设备，允许所述外部设备输出请求新数据的指令。
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