[发明专利]一种动态随机存取存储器的变频方法有效
| 申请号： | 201210056165.1 | 申请日： | 2012-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN103295622A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 操冬华;胡胜发 | 申请（专利权）人： | 安凯（广州）微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/406 | 分类号： | G11C11/406 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 510663 广东省广州市萝岗区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 动态 随机存取存储器 变频 方法 | ||
1.一种动态随机存取存储器DRAM的变频方法，其特征在于，包括：
冻结与所述DRAM相关的外部设备，禁止所述外部设备输出请求新数据的指令；
控制所述DRAM进入省电模式或进行自刷新；
将第一变频代码拷贝至预设缓冲区；
运行所述第一变频代码，控制锁相环将所述DRAM的时钟频率调整至预设频率；
控制所述DRAM退出省电模式或停止自刷新；
解冻所述外部设备，允许所述外部设备输出请求新数据的指令。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，控制锁相环将所述DRAM的时钟频率调整至预设频率，具体为：
通过调整所述DRAM时钟信号的分频系数，将所述DRAM的时钟频率调整至预设频率。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，控制锁相环将所述DRAM的时钟频率调整至预设频率，具体为：
通过调整所述锁相环的时钟源的频率，将所述DRAM的时钟频率调整至预设频率。
4.根据权利要求1、2或3所述的方法，其特征在于，所述预设缓冲区为静态随机存储器SRAM缓冲区、假静态随机存储器PSRAM缓冲区或者同步动态随机存储器SDRAM缓冲区。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在对所述DRAM进行变频后，当需要调整所述锁相环的时钟源的频率以调整嵌入式系统中外设接口的时钟频率时，还包括：
将第二变频代码拷贝至所述DRAM；
运行所述第二变频代码，控制所述锁相环调整其时钟源的频率，同时控制所述锁相环调整所述DRAM时钟信号的分频系数。
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