[发明专利]IC载带材料的非迁移型高分子导电母粒及其制备方法无效
| 申请号： | 201210055957.7 | 申请日： | 2012-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN102604248A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 吴中心;张宝成;吴林芳 | 申请（专利权）人： | 浙江三和塑料有限公司 |
| 主分类号： | C08L25/06 | 分类号： | C08L25/06;C08L23/06;C08L53/02;C08K13/02;C08K3/04;B29C47/92;B65D73/02;B32B27/18 |
| 代理公司： | 杭州丰禾专利事务所有限公司 33214 | 代理人： | 王从友 |
| 地址： | 322200 浙江省金*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种非迁移型高分子导电母粒，尤其涉及一种应用于IC载带材料的非迁移型高分子导电母粒及其制备方法。IC载带材料的非迁移型高分子导电母粒，该导电母粒按重量百分比计由以下配方的组分混炼制得：HIPS聚苯乙烯35.0%～85.0%；导电炭黑5.0%～35.0%；聚乙烯3.0%～35.0%；抗氧化剂0.1%～8.0%；SBS4.0%~35.0%；偶联剂1.0%~5.0%；其他助剂0.5%~2.0%。本发明所制得的非迁移型高分子导电母粒具备炭黑分散均匀、层间结合力牢固、封合性能稳定等缺一不可的特点，符合IC载带材料性能的要求。 | ||
| 搜索关键词： | ic 材料 迁移 高分子 导电 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
IC载带材料的非迁移型高分子导电母粒，其特征在于：该导电母粒按重量百分比计由以下配方的组分混炼制得：HIPS聚苯乙烯 35.0%～85.0%； 导电炭黑 5.0%～35.0%；聚乙烯 3.0%～35.0%； 抗氧化剂 0.1%～8.0%；SBS 4.0%~35.0%； 偶联剂 1.0%~5.0%；其他助剂 0.5%~2.0%。
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