[发明专利]IC载带材料的非迁移型高分子导电母粒及其制备方法

权利要求书

1.IC载带材料的非迁移型高分子导电母粒，其特征在于：该导电母粒按重量百分比计由以下配方的组分混炼制得：

HIPS聚苯乙烯     35.0%～85.0%；     导电炭黑      5.0%～35.0%；

聚乙烯            3.0%～35.0%；      抗氧化剂      0.1%～8.0%；

SBS               4.0%~35.0%；       偶联剂        1.0%~5.0%；

其他助剂          0.5%~2.0%。

2.根据权利要求1所述的IC载带材料的非迁移型高分子导电母粒，其特征在于：该导电母粒按重量百分比计由以下配方的组分混炼制得：

HIPS聚苯乙烯     45.0%～75.0%；     导电炭黑      8.0%～20.0%；

聚乙烯            5.0%～20.0%；      抗氧化剂      0.2%～1.0%；

SBS               8.0%~20.0%；       偶联剂        1.0%~2.5%；

其他助剂          0.5%~2.0%。

3.根据权利要求1所述的IC载带材料的非迁移型高分子导电母粒，其特征在于：该导电母粒按重量百分比计由以下配方的组分混炼制得：

HIPS聚苯乙烯     60.0%～70.0%；     导电炭黑      10.0%～15.0%；

聚乙烯            5.0%～10.0%；      抗氧化剂      0.2%～0.5%；

SBS               8.0%~15.0%；       偶联剂        1.0%~2.5%；

其他助剂          0.5%~2.0%。

4.根据权利要求1所述的IC载带材料的非迁移型高分子导电母粒，其特征在于：该导电母粒按重量百分比计由以下配方的组分混炼制得：

HIPS聚苯乙烯     65.0%；     导电炭黑      13.0%；

聚乙烯            8.0%；      抗氧化剂      0.5%；

SBS               10.0%；     偶联剂        2.0%；

其他助剂          1.5%。

5.根据权利要求1或2或3或4所述的IC载带材料的非迁移型高分子导电母粒，其特征在于：偶联剂选用硅烷偶联剂KH-570。

6.根据权利要求1或2或3或4所述的IC载带材料的非迁移型高分子导电母粒，其特征在于：聚乙烯采用HDPE或LDPE。

7.根据权利要求1或2或3或4所述的IC载带材料的非迁移型高分子导电母粒，其特征在于：其他助剂包括抗老化剂、增强剂和增韧剂中的一种或多种；所述的抗老化剂0.3%~1.6%、增强剂0.2%~1.5%，增韧剂0.2%~1.5%。

8.根据权利要求1或2或3或4所述的IC载带材料的非迁移型高分子导电母粒，其特征在于：抗氧化剂为抗氧化剂1010或抗氧化剂168。

9.一种制备权利要求1或2或3或4所述的IC载带材料的非迁移型高分子导电母粒的方法，其特征在于该方法包括以下的步骤：

1）按配方称取聚苯乙烯40%~60%量、导电炭黑全部、抗氧化剂40%~60%量、聚乙烯全部和SBS全部；

2）将上述聚苯乙烯、导电炭黑、抗氧化剂、聚乙烯、SBS在一阶段混炼，捏合制备成导电率高的半成品；

3）将上述混炼，捏合制备成导电率高的半成品与剩余的聚苯乙烯、偶联剂、剩余的抗氧化剂和其他助剂混合，在55～190℃的条件下混炼30～50分钟，送料给挤出机挤出，送料机的转速为450～550转/分钟，挤出的温度为180℃～210℃，挤出机的转速为550～650转/分钟，再经冷却、干燥制得非迁移型高分子导电母粒。

10.IC载带材料，该IC载带材料采用三层结构，表面层采用导电母粒，中间层采用绝缘材料其特征在于：所述的导电母粒采用权利要求1或2或3或4所述的IC载带材料的非迁移型高分子导电母粒。