[发明专利]IC载带材料的非迁移型高分子导电母粒及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种非迁移型高分子导电母粒，尤其涉及一种应用于IC载带材料的非迁移型高分子导电母粒及其制备方法。

背景技术

电子产品组装的高密度、高可靠、小型化、低成本、以及生产的自动化催生SMT（表面组装技术）工艺方法的形成。IC载带材料是用于高档微电子零件的防静电包装材料，旨在防止电子元器件生产和运输过程中受到静电损害、机械损坏或灰尘污染，是实现SMT电子元器件自动化生产、包装和运输过程中不可或缺的关键材料之一。IC载带材料由于要配套在自动化SMT生产工艺流水线上应用，对材料的性能要求很高，该材料必须同时具备防静电性能、表面炭黑分散均匀、层间结合力牢固等特点，同时和多种上封带（基材为PE、PET等复合材料）之间既要保证有一定的封合力，又要保证在自动化生产线剥离过程中容易剥离。因此，开发符合如此高性能要求的制备IC载带材料核心材料——表层导电母粒成为当下重要的研究课题。

目前国内现有导电母料主要存在以下技术难题：

难题一、三层结构不牢固。IC载带材料采用三层结构，挤出复合制成。表面层采用导电母粒，中间层采用绝缘材料，以此降低成本。但三层结构不牢固容易造成表面层部分或完全脱落，造成成型不良，与上封带封合包装时容易污染电子元器件，在上封带剥离时三层结构不牢固可能导致表面层与上封带粘连，严重时表面层与中间层会直接分离，使得电子元器件脱落，导致电子元器件报废，无法自动化生产。

难题二、表面杂质颗粒点多。导电母粒均采用导电炭黑制备，在热塑挤出加工过程中，容易产生碳化杂质颗粒。IC载带材料对表面颗粒大小、数量有严格的国际标准，且会直接影响封合力值标准差，根据EIA-481标准规定，封合力值标准差不超过10。在上封带剥离过程中如果标准差大于10，会造成封合不稳定，电子元器件跳出IC载带材料，无法配合自动化生产线上机械手抓取零件的生产节奏，使生产自动化受阻。

难题三、封合适应面窄。国内现有导电母粒有的可以与热封型上封带匹配，但无法与冷封型上封带封合；有的可以冷封，但是无法热封；有的能够与以PE为基材的上封带封合，但不能匹配以PET为基材的上封带，不能同时满足于多种上封带在热封、冷封等不同方式下的封合。

中国发明专利申请（申请号：200910095623.0 申请日：2009-01-13 ）公开了用于SMT载带的防静电塑料及其制备方法和应用，该用于SMT载带的防静电塑料,由以下重量百分比的成份混炼组成:导电碳黑5%～45%,聚苯乙烯30%～90%,苯乙烯丁二烯共聚物弹性SBS5%～45%,增韧剂1%～13%,抗氧剂0.1%～2.8%,偶联剂0.3%～3.8%。

发明内容

为了解决上述的技术问题，本发明的一个目的是提供IC载带材料的非迁移型高分子导电母粒，所制得的非迁移型高分子导电母粒具备炭黑分散均匀、层间结合力牢固、封合性能稳定等缺一不可的特点，符合IC载带材料性能的要求。本发明的第二个目的是提供一种上述的IC载带材料的非迁移型高分子导电母粒的制备方法。本发明的第三个目的是提供一种IC载带材料。

为了实现上述的第一个目的，本发明采用了以下的技术方案：

IC载带材料的非迁移型高分子导电母粒，该导电母粒按重量百分比计由以下配方的组分混炼制得：

HIPS聚苯乙烯     35.0%～85.0%；     导电炭黑      5.0%～35.0%；

聚乙烯            3.0%～35.0%；      抗氧化剂      0.1%～8.0%；

SBS               4.0%~35.0%；       偶联剂        1.0%~5.0%；

其他助剂          0.5%~2.0%。

作为优选，该导电母粒按重量百分比计由以下配方的组分混炼制得：

HIPS聚苯乙烯     45.0%～75.0%；     导电炭黑      8.0%～20.0%；

聚乙烯            5.0%～20.0%；      抗氧化剂      0.2%～1.0%；

SBS               8.0%~20.0%；       偶联剂        1.0%~2.5%；

其他助剂          0.5%~2.0%。

作为再优选，该导电母粒按重量百分比计由以下配方的组分混炼制得：

HIPS聚苯乙烯     60.0%～70.0%；     导电炭黑      10.0%～15.0%；