[发明专利]利用Co/SiO2废催化剂制备高纯硝酸钴晶体的方法有效

专利信息
申请号: 201210055799.5 申请日: 2012-03-05
公开(公告)号: CN102583580A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 韩奕铭;刘倩倩;赖波;许莉;宋德臣 申请(专利权)人: 武汉凯迪工程技术研究总院有限公司
主分类号: C01G51/00 分类号: C01G51/00;B09B3/00
代理公司: 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 代理人: 胡镇西;杨柳林
地址: 430223 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种利用Co/SiO2废催化剂制备高纯硝酸钴晶体的方法。该方法依次包括如下步骤:1)将待处理Co/SiO2废催化剂在350~500℃有空气的条件下焙烧3~6h,冷却至室温后研磨成粉末;2)将废催化剂粉末转入流化床反应器,在H2、N2混合气体中进行还原反应8~12h;3)将经还原反应的废催化剂加入至过量稀硝酸溶液中充分溶解、过滤;4)用碱液调节所得到硝酸钴溶液的pH值至1.5,在25~80℃水浴条件下,加入草酸溶液进行反应,用稀碱溶液调节反应后溶液至pH值=1.5,趁热过滤得到草酸钴沉淀;5)将草酸钴沉淀干燥后在温度为550~650℃条件下煅烧4~8h;6)将所得氧化钴用稀硝酸溶液溶解;7)将所述硝酸钴溶液蒸发结晶得到Co(NO3)2·6H2O晶体。实践证明,该方法中Co(NO3)2·6H2O的回收率高、产品纯度高。
搜索关键词: 利用 co sio sub 催化剂 制备 高纯 硝酸 晶体 方法
【主权项】:
一种利用Co/SiO2废催化剂制备高纯硝酸钴晶体的方法,其特征在于:它包括如下步骤:1)将待处理Co/SiO2废催化剂在350~500℃有空气的条件下焙烧3~6h,冷却至室温后研磨成粉末;2)将经焙烧处理后的废催化剂转入流化床反应器,在H2、N2混合气体中进行还原反应8~12h,其中,控制所述混合气体中H2、N2积比为1~4∶1;3)将经还原反应的废催化剂加入至过量稀硝酸溶液中充分溶解、过滤,得到硝酸钴溶液;4)用碱液调节所得到硝酸钴溶液的pH值至1.5,在25~80℃水浴条件下,加入预热至25~80℃且pH值为1.5的草酸溶液进行反应,用稀碱溶液调节反应后溶液至pH值=1.5,趁热过滤得到草酸钴沉淀,用去离子水洗涤草酸钴沉淀,直至滤液为中性,其中,控制所加入草酸溶液中草酸的摩尔含量为硝酸钴溶液中钴摩尔含量的2~3倍;5)将草酸钴沉淀干燥后在温度为550~650℃条件下煅烧4~8h,得氧化钴;6)将所得氧化钴用稀硝酸溶液溶解,再次得硝酸钴溶液;7)将所述硝酸钴溶液蒸发结晶得Co(NO3)2·6H2O晶体。
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