[发明专利]发光器件有效

专利信息
申请号: 201210055541.5 申请日: 2012-03-05
公开(公告)号: CN103035809B 公开(公告)日: 2017-06-20
发明(设计)人: 朴东昱 申请(专利权)人: LG伊诺特有限公司
主分类号: H01L33/38 分类号: H01L33/38
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 蔡胜有,董文国
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 公开了一种发光器件。所述发光器件包括第一电极和第二电极,所述第一电极和第二电极具有不同的面积,由此实现提高的接合可靠性。
搜索关键词: 发光 器件
【主权项】:
一种发光器件,包括:支撑构件;包括设置在所述支撑构件上的第一半导体层、第二半导体层、以及在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的有源层的发光结构;设置在暴露出所述第一半导体层的第一区域中的在所述第一半导体层上的第一电极;设置在所述第二半导体层上的第二电极;至少设置在所述第一电极和所述发光结构之间的绝缘层;设置在所述第二半导体层和所述第二电极之间的可透光电极层;以及在所述可透光电极层与所述第二电极之间、以及与所述发光结构之间的反射层;其中所述第一半导体层和所述第二半导体层为不同导电型的半导体层,所述有源层包括至少一个的阱层和势垒层并且所述阱层具有比所述势垒层小的带隙,其中所述第一电极的上表面的面积为所述第二半导体层的面积的40%~90%,并且其中所述反射层形成为沿着所述第二半导体层的侧表面和所述有源层的侧表面从所述第二半导体层的上表面延伸到所述第一半导体层的上表面,其中所述第一电极包括:与所述第一半导体层连接并形成为延伸至少达到所述第二半导体层的高度的下电极;以及上电极,所述上电极与所述下电极的一端连接并构造为向所述发光结构内部突出使得所述上电极的部分区域与所述第二半导体层垂直地交叠,所述上电极与所述第二半导体层的上表面间隔开,其中所述绝缘层至少形成在从所述下电极与设置在所述第二半导体层的侧表面和所述有源层的侧表面上的反射层之间到所述上电极与所述第二半导体层之间,其中所述反射层至少包括具有第一折射率的第一层和具有不同于所述第一折射率的第二折射率的第二层,其中所述第一电极、所述第二电极和所述绝缘层的上表面设置在相同的线上。
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