[发明专利]发光器件有效

专利信息
申请号: 201210055541.5 申请日: 2012-03-05
公开(公告)号: CN103035809B 公开(公告)日: 2017-06-20
发明(设计)人: 朴东昱 申请(专利权)人: LG伊诺特有限公司
主分类号: H01L33/38 分类号: H01L33/38
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 蔡胜有,董文国
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 发光 器件
【说明书】:

相关申请的交叉引用

本申请要求在韩国知识产权局于2011年10月10日提交的韩国专利申请10-2011-0102986和于2011年10月12日提交的韩国专利申请10-2011-0104233的优先权,通过引用将其公开并入本文。

技术领域

实施方案涉及一种发光器件,其为具有提高的发光效率的倒装芯片型并且在接合至发光器件封装件时表现出稳定性和可靠性。

背景技术

发光二极管(LED)是发光器件的一个代表性实例,其使用化合物半导体的特性将电信号转换为红外光或可见光。这种LED用于家用器具、遥控器、电子布告板、显示器以及各种其它自动化机器中。LED的应用范围在逐渐增加。

总体上,微型LED制造为表面安装器件以直接安装在印刷电路板(PCB)上,因此正在将用作显示器件的LED灯开发为表面安装器件。表面安装器件可以代替常规的简单灯并用于多种彩色开关显示器和字母/图像显示器中。

LED的增加的应用范围需要用于家用灯和应急灯的更高的亮度,因此提高LED的亮度是重要的。

发明内容

实施方案提供了一种发光器件,其为具有提高的发光效率的倒装芯片型并且在接合至发光器件封装件时表现出稳定性和可靠性。

在一个实施方案中,发光器件包括:支撑构件;包括设置在支撑构件上的第一半导体层、第二半导体层以及设置在第一半导体层和第二半导体层之间的有源层的发光结构;设置在暴露出第一半导体层的第一区域中的在第一半导体层上的第一电极;设置在第二半导体层上的第二电极;以及至少设置在第一电极和发光结构之间的绝缘层;其中第一半导体层和第二半导体层是不同导电型的半导体层,有源层包括至少一对的阱层和势垒层,并且阱层具有比势垒层小的带隙,其中第一电极的上表面的面积为第二半导体层的面积的40%~90%。

附图说明

通过结合附图的以下详述将更清楚地理解实施方案的细节,附图中:

图1是示出根据一个实施方案的发光器件的平面图;

图2是沿图1中所示的发光器件的线A-A′截取的截面图;

图3是示出根据另一实施方案的发光器件的截面图;

图4是示出其中常规发光器件以倒装芯片方式接合至封装件衬底的结构的截面图;

图5是示出其中根据实施方案的发光器件以倒装芯片方式接合至封装件衬底的结构的截面图;

图6是示出根据一个替代实施方案的发光器件的截面图;

图7是示出根据一个替代实施方案的发光器件的截面图;

图8是示出根据一个替代实施方案的发光器件的截面图;

图9是示出根据一个替代实施方案的发光器件的截面图;

图10是示出根据一个替代实施方案的发光器件的截面图;

图11是说明其中根据一个实施方案的发光器件以倒装芯片方式接合至封装件衬底的结构中的发光的图;

图12是示出根据一个替代实施方案的发光器件的底视图;

图13是图12所示的发光器件的截面图;

图14是示出根据一个替代实施方案的发光器件的截面图;

图15是示出根据一个替代实施方案的发光器件的截面图;

图16是示出根据一个替代实施方案的发光器件的截面图;

图17是示出根据一个替代实施方案的发光器件的截面图;

图18是示出根据一个替代实施方案的发光器件的截面图;

图19是示出根据一个替代实施方案的发光器件的截面图;

图20是示出根据一个替代实施方案的发光器件的截面图;

图21是示出根据一个替代实施方案的发光器件的截面图;

图22是包括根据一个实施方案的发光器件的发光器件封装件的截面图;

图23是示出包括根据一个实施方案的发光器件封装件的照明装置的立体图;

图24是沿图23中所示的照明装置的线C-C′截取的截面图;

图25是包括根据一个实施方案的发光器件的液晶显示装置的分解立体图;和

图26是包括根据一个实施方案的发光器件的液晶显示装置的分解立体图。

具体实施方式

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