[发明专利]低功耗数字域累加CMOS-TDI图像传感器有效
| 申请号： | 201210054725.X | 申请日： | 2012-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN102595066A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 姚素英;聂凯明;徐江涛;高静;史再峰;高岑 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H04N5/3745 | 分类号： | H04N5/3745;H04N5/378 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 刘国威 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及数模混合集成电路设计领域。为提供一种不降低CMOS-TDI图像传感器行频的基础上可以降低ADC的转换速率，进而降低传感器的功耗，为达到上述目的，本发明采取的技术方案是，低功耗数字域累加CMOS-TDI图像传感器，包括：n+k行×m列的像素阵列、列并行信号预处理电路、列并行逐次逼近型模数转换器、列并行数字域累加器、列并行除法器、时序控制电路和输出移位寄存器，此外还包括：在列并行数字域累加器中再增加n+k+1个粗量化存储单元，用于存储粗量化结果；n次细量化结果的存储单元；将n次细量化的结果进行累加后输出即完成n级TDI信号累加。本发明主要应用于数模混合集成电路设计。 | ||
| 搜索关键词： | 功耗 数字 累加 cmos tdi 图像传感器 | ||
【主权项】：
一种低功耗数字域累加CMOS‑TDI图像传感器，包括：n+k行×m列的像素阵列、列并行信号预处理电路、列并行逐次逼近型模数转换器、列并行数字域累加器、列并行除法器、时序控制电路和输出移位寄存器，其特征是，还包括：在列并行数字域累加器中再增加n+k+1个粗量化存储单元，用于存储粗量化结果；n次细量化结果的存储单元；将n次细量化的结果进行累加后输出即完成n级TDI信号累加。
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