[发明专利]一种炉外精炼提纯工业硅的方法无效
| 申请号： | 201210054652.4 | 申请日： | 2012-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN102583389A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 马文会;魏奎先;王统;谢克强;伍继君;周阳;杨斌;戴永年 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种炉外精炼提纯工业硅的方法，在矿热炉释放硅熔体到抬包之前，向抬包中持续通入精炼气体，接着释放硅熔体到抬包中，并在抬包中进行加热，控制熔体温度在一定范围内，再向抬包中加入精炼剂进行造渣精炼，随着抬包内硅熔体量的不断增加，调整精炼气体的通入流量、压力等进行炉外精炼；待炉外精炼完毕后，进行渣硅分离，再进行浇注，即完成炉外精炼提纯工业硅。通过上述炉外精炼过程，可以去除工业硅熔体中包括Al、Ca、Ti、Na在内的大部分金属杂质和部分B、P、S、C等非金属杂质，同时可以为后续的工业硅提纯控制有效的成分，为冶金法制备太阳能级硅提供高品质的原料。本发明具备充分利用和节约能源、生产效率高、基建投资较少、环境无污染等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 精炼 提纯 工业 方法 | ||
【主权项】：
一种炉外精炼提纯工业硅的方法，其特征在于经过下列步骤：在矿热炉释放硅熔体之前，向抬包中持续通入精炼气体，接着释放硅熔体到抬包中，并在抬包中进行加热、保温，使硅熔体的炉外精炼温度控制在1450～1700℃，再向抬包中加入精炼剂进行造渣精炼，使渣硅比控制在10︰1～1︰10，随着抬包中硅熔体量的不断增加，调整精炼气体的通入流量为1～10m3/h，压力为2～8atm，进行炉外精炼1～6h；然后进行渣硅分离，再进行浇注，即完成炉外精炼提纯工业硅。
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