[发明专利]一种新的Cu(InGa)Se2薄膜太阳电池缓冲层制备方法

摘要

一种新的Cu(InGa)Se2(简称CIGS)薄膜太阳电池缓冲层的制备方法，此制备方法采用先对CIGS吸收层表面进行刻蚀处理，再沉积缓冲层，其中缓冲层由In2S3和CdS构成，In2S3由化学溅射热解(CSP)法沉积，CdS层由化学水浴法沉积(CBD)制备，在CBD法沉积CdS时，溶液中加入了阳离子体系消泡剂。这种方法制备的缓冲层不但对CIGS吸收层的覆盖度高，晶粒致密，无针孔，而且缓冲层表面呈镜面状。用它制备的CIGS薄膜太阳电池具有高的开路电压，高的填充因子和短路电流密度，高的光电转换效率和高的器件可靠性。

主权项

一种新的CIGS薄膜太阳电池缓冲层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：首先采用Br2‑CH3OH溶液对涂覆钼的钠钙玻璃衬底上沉积的CIGS吸收层表面进行刻蚀处理，以除去二次相Cu2Se，并使CIGS吸收层表面成镜面状；接着用热氨水对CIGS吸收层表面进行刻蚀处理，以除去其表面的Na和O的化合物；随后通过CSP法在CIGS吸收层表面形成In2S3膜层；最后用加有阳离子表面消泡剂的CBD工艺在In2S3表面沉积CdS薄膜。