[发明专利]一种新的Cu(InGa)Se2薄膜太阳电池缓冲层制备方法无效
| 申请号： | 201210054340.3 | 申请日： | 2012-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN103296131A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 马格林;张建柱;孙玉娣;彭博 | 申请（专利权）人： | 任丘市永基光电太阳能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 062550 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 cu inga se sub 薄膜 太阳电池 缓冲 制备 方法 | ||
1.一种新的CIGS薄膜太阳电池缓冲层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：首先采用Br2-CH3OH溶液对涂覆钼的钠钙玻璃衬底上沉积的CIGS吸收层表面进行刻蚀处理，以除去二次相Cu2Se，并使CIGS吸收层表面成镜面状；接着用热氨水对CIGS吸收层表面进行刻蚀处理，以除去其表面的Na和O的化合物；随后通过CSP法在CIGS吸收层表面形成In2S3膜层；最后用加有阳离子表面消泡剂的CBD工艺在In2S3表面沉积CdS薄膜。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述的CIGS薄膜太阳电池缓冲层的制备方法，其选用的Br2-CH3OH溶液浓度为0.23mol/L，其中加有浓度为0.12mol/L的KBr溶液。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述的CIGS薄膜太阳电池缓冲层的制备方法，其选用的Br2-CH3OH溶液的刻蚀温度为室温，时间10min。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述的CIGS薄膜太阳电池缓冲层的制备方法中，其选用的氨水的浓度为1.8M，氨水的处理温度为65℃，处理时间为15min。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述的CIGS薄膜太阳电池缓冲层的制备方法中，CSP法制备In2S3时选用源材料分别为InCl3和硫脲CS(NH2)2，源材料混合溶液中的In/S＝1.2/8。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述的CIGS薄膜太阳电池缓冲层的制备方法中，CSP法沉积In2S3时，CIGS吸收层表面温度为400℃，In2S3膜的溅射沉积速率为5ml/min，溅射时间为25min，溅射沉积的In2S3膜厚为20nm。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述的CIGS薄膜太阳电池缓冲层的制备方法中，CBD法制备CdS膜时，选用的源材料分别为Cd(CH3COO)2(0.0025M)，硫脲CS(NH2)2(0.002M)，CH3COONH4(0.025M)，NH4OH(2.25M)和阳离子体系消泡剂。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述的CIGS薄膜太阳电池缓冲层的制备方法中，化学水浴沉积法制备CdS膜时，溶液温度为70℃，硫脲加入Cd(CH3COO)2，CH3COONH4，NH4OH和阳离子体系消泡剂体系中的速度为18滴/min。
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述的CIGS薄膜太阳电池缓冲层的制备方法中，化学水浴沉积法制备CdS膜的沉积时间为25min，厚度为60nm。
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