[发明专利]一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池缓冲层材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池缓冲层材料的制备方法，该方法采用硫酸锌溶液作为Zn2+源，以硫脲溶液作为S2-源，以氨水作为缓冲剂，以柠檬酸钠作为络合剂，配制化学浴反应的前驱物，在铜铟镓硒薄膜和普通玻璃衬底上制备粒径分布均匀、致密且附着力较好的Zn(O，S)半导体薄膜，作为铜铟镓硒薄膜太阳能电池的缓冲层；用Zn(O，S)替代CdS作为铜铟镓硒薄薄膜太阳能电池的缓冲层，不仅使铜铟镓硒薄薄膜太阳能电池的生产更环保、更经济，而且由于Zn(O，S)的带隙宽度比CdS的带隙宽度大，能使更多的入射光子通过缓冲层到达吸收层，提高电池的短路电流，有利于提高电池的光电转换效率。

主权项

一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池缓冲层材料的制备方法，其特征在于：采用化学水浴沉积法，以硫酸锌溶液作为Zn2+源，以硫脲溶液作为S2‑源，以氨水作为缓冲剂，以无毒的柠檬酸钠作为络合剂，配制化学反应前驱物，把已制备好铜铟镓硒吸收层的衬底和清洗干净的玻璃衬底沿着烧杯壁竖直浸入溶液中，用铝箔把烧杯口密封后，放入水浴锅中进行恒温反应，制备得到Zn(O，S)半导体薄膜，作为铜铟镓硒薄膜太阳能电池的缓冲层材料。