[发明专利]低压差分信号发送器有效

专利信息
申请号: 201210050136.4 申请日: 2012-02-29
公开(公告)号: CN102624656A 公开(公告)日: 2012-08-01
发明(设计)人: 杨奕 申请(专利权)人: 华为技术有限公司
主分类号: H04L25/02 分类号: H04L25/02;H03K19/0185
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明实施例公开了一种低压差分信号LVDS发送器,涉及数据传输技术领域,解决了现有技术的LVDS发送器的性能劣化的问题。发送器包括工作电源、发送器主体部分、第一选择输入模块、第二选择输入模块,发送器主体部分包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管以及第二NMOS管,所述第一PMOS管的源极与第二PMOS管的源极接入工作电源;所述第一选择输入模块及第二选择输入模块均加载有第一信号、第二信号、第一偏置电压及第二偏置电压,并根据第一信号及第二信号分别向第一PMOS管的栅极和第二PMOS管的栅极选择输入第一偏置电压或第二偏置电压,第一PMOS管的栅极加载的电压与第二PMOS管的栅极加载的电压实时不同,第一信号与第二信号为一对差模信号,以完成LVDS发送器功能。
搜索关键词: 低压 信号 发送
【主权项】:
一种低压差分信号LVDS发送器,包括工作电源和发送器主体部分,所述发送器主体部分包括第一P型金属氧化物半导体PMOS管、第二PMOS管、栅极加载有第二信号的第一N型金属氧化物半导体NMOS管以及栅极加载有第一信号的第二NMOS管,所述第一PMOS管的漏极连接外部负载电阻的一端,所述第二PMOS管的漏极连接所述外部负载电阻的另一端,其特征在于,所述第一PMOS管的源极与第二PMOS管的源极均接入所述工作电源,所述LVDS发送器还包括第一选择输入模块和第二选择输入模块;所述第一选择输入模块加载有第一信号、第二信号、第一偏置电压及第二偏置电压,并连接所述第二PMOS管的栅极,用于根据所述第一信号及第二信号向所述第二PMOS管的栅极选择输入所述第一偏置电压或者第二偏置电压;所述第二选择输入模块加载有第一信号、第二信号、第一偏置电压及第二偏置电压,并连接所述第一PMOS管的栅极,用于根据所述第一信号及第二信号向所述第一PMOS管的栅极选择输入所述第一偏置电压或者第二偏置电压;所述第一信号与所述第二信号为一对差模信号;在所述第一信号为低电平,所述第二信号为高电平时,所述第一NMOS管导通,所述第二NMOS管关断,所述第一选择输入模块向所述第二PMOS管的栅极选择输入所述第一偏置电压,所述第二选择输入模块向所述第一PMOS管的栅极选择输入所述第二偏置电压,使得所述第二PMOS管导通,工作电流通过所述第二PMOS管流向所述外部负载电阻;在所述第一信号为高电平,所述第二信号为低电平时,所述第一NMOS管关断,所述第二NMOS管导通,所述第一选择输入模块向所述第二PMOS管的栅极选择输入所述第二偏置电压,所述第二选择输入模块向所述第一PMOS管的栅极选择输入所述第一偏置电压,使得所述第一PMOS管导通,工作电流通过所述第一PMOS管流向所述外部负载电阻。
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