[发明专利]低压差分信号发送器

说明书

技术领域

本发明涉及数据传输技术领域，尤其涉及一种低压差分信号发送器。

背景技术

低压差分信号(Low Voltage Differential Signaling，简称LVDS)广泛应用于芯片间的短距离互联。LVDS信号的通信系统中通常包括LVDS发送器，所述LVDS发送器用于将芯片内工作的电平转换为LVDS信号，并将所述LVDS信号发送出去。

现有技术的一种LVDS发送器如图1所示，所述LVDS发送器包括发送器主体部分11、电流源12、与所述电流源12和所述发送器主体部分11连接的P型金属氧化物半导体(Positive channel Metal Oxide Semiconductor，简称PMOS)管电流镜13，所述PMOS管电流镜包括第三PMOS管131和第四PMOS管132，所述电流源12产生电流(一般为3.5毫安)通过所述PMOS管电流镜13进行镜像，进而为所述发送器主体部分11提供电流，所述电流镜13中第四PMOS管132源极加载有工作电源提供的工作电压，随着技术的更新，所述工作电压从先前的3.3伏、2.5伏下降到了1.8伏，甚至更低。所述发送器主体部分11包括一对按反相器连接的开关管，所述一对按反相器连接的开关管包括第一PMOS管111、第二PMOS管112、第一N型金属氧化物半导体(N-Mental-Oxide-Semiconductor，简称NMOS)管113以及第二NMOS管114，所述第一PMOS管111及第一NMOS管113的栅极相连且加载第二信号，所述第二PMOS管112及第二NMOS管114的栅极相连且加载第一信号，所述第二信号与所述第一信号为一对差模信号，所述第一PMOS管111及第一NMOS管113的漏极相连并接到外部的负载(例如100欧姆的电阻)的一端，所述第二PMOS管112及第二NMOS管114的漏极相连并接到所述外部的负载的另一端。所述发送器主体部分11还包括与所述第一NMOS管113及第二NMOS管114的源极连接的NMOS管电流源115以及与所述NMOS管电流源115的栅极连接的共模负反馈电路116，所述共模负反馈116通过控制所述NMOS管电流源115调节共模电平，LVDS协议规定共模电平为1.25伏。通过所述第一信号与第二信号的改变使得所述PMOS管电流镜13送出的电流流过所述第一PMOS管111或者第二PMOS管112，并流过所述外部的负载电阻，使得外部的LVDS接收器通过判断所述外部负载的电流方向，实时获取得到了所述LVDS发送器中的第一信号及第二信号的高低电平。

在实现本发明实施例的过程中，发明人发现现有技术中至少存在如下问题：

由于工作电压为1.8伏甚至更低，使得所述第四PMOS管132得到的分压较小而进入线性区域，造成所述LVDS发送器性能劣化的问题。

发明内容

本发明的实施例提供一种低压差分信号LVDS发送器，能够解决现有技术中由于工作电压较低，所述第四PMOS得到的分压较小而进入线性区域，造成所述LVDS发送器性能劣化的问题。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一种低压差分信号LVDS发送器，包括工作电源和发送器主体部分，所述发送器主体部分包括第一P型金属氧化物半导体PMOS管、第二PMOS管、栅极加载有第二信号的第一N型金属氧化物半导体NMOS管以及栅极加载有第一信号的第二NMOS管，所述第一PMOS管的漏极连接外部负载电阻的一端，所述第二PMOS管的漏极连接所述外部负载电阻的另一端，所述第一PMOS管的源极与第二PMOS管的源极均接入所述工作电源，所述LVDS发送器还包括第一选择输入模块和第二选择输入模块；

所述第一选择输入模块加载有第一信号、第二信号、第一偏置电压及第二偏置电压，并连接所述第二PMOS管的栅极，用于根据所述第一信号及第二信号向所述第二PMOS管的栅极选择输入所述第一偏置电压或者第二偏置电压；

所述第二选择输入模块加载有第一信号、第二信号、第一偏置电压及第二偏置电压，并连接所述第一PMOS管的栅极，用于根据所述第一信号及第二信号向所述第一PMOS管的栅极选择输入所述第一偏置电压或者第二偏置电压；

所述第一信号与所述第二信号为一对差模信号；