[发明专利]一种晶体硅太阳电池背面钝化介质层局部刻蚀方法有效
| 申请号： | 201210044607.0 | 申请日： | 2012-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN102569530A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 许佳平;金井升;黄纪德;蒋方丹;陈良道 | 申请（专利权）人： | 上饶光电高科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人： | 李海波 |
| 地址： | 334000 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体硅太阳电池背面钝化介质层局部刻蚀方法，含以下步骤：(1)在晶体硅片背面钝化介质层上印刷局部刻蚀浆料；(2)将印刷完局部刻蚀浆料的晶体硅片进行中高温处理，使局部刻蚀浆料刻蚀掉位于其下方的钝化介质层；(3)采用酸液清洗掉晶体硅片背面钝化介质层上印刷的局部刻蚀浆料；(4)经含干燥工序获得背面钝化介质层局部刻蚀的晶体硅太阳电池。该方法工艺简单，成本低廉，不需要使用昂贵的仪器和设备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 太阳电池 背面 钝化 介质 局部 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体硅太阳电池背面钝化介质层局部刻蚀方法，其特征是含以下步骤：(1)在晶体硅片背面钝化介质层上印刷局部刻蚀浆料；(2)将印刷完局部刻蚀浆料的晶体硅片进行中高温处理，使局部刻蚀浆料刻蚀掉位于其下方的钝化介质层；(3)采用酸液清洗掉晶体硅片背面钝化介质层上印刷的局部刻蚀浆料；(4)经含干燥工序获得背面钝化介质层局部刻蚀的晶体硅太阳电池。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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