[发明专利]一种晶体硅太阳电池背面钝化介质层局部刻蚀方法

权利要求书

1.一种晶体硅太阳电池背面钝化介质层局部刻蚀方法，其特征是含以下步骤：

(1)在晶体硅片背面钝化介质层上印刷局部刻蚀浆料；

(2)将印刷完局部刻蚀浆料的晶体硅片进行中高温处理，使局部刻蚀浆料刻蚀掉位于其下方的钝化介质层；

(3)采用酸液清洗掉晶体硅片背面钝化介质层上印刷的局部刻蚀浆料；

(4)经含干燥工序获得背面钝化介质层局部刻蚀的晶体硅太阳电池。

2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池背面钝化介质层局部刻蚀方法，其特征是：步骤(1)中在晶体硅片背面钝化介质层上印刷局部刻蚀浆料，采用的印刷方式为丝网印刷。

3.根据权利要求2所述的晶体硅太阳电池背面钝化介质层局部刻蚀方法，其特征是：步骤(1)中在晶体硅片背面钝化介质层上印刷玻璃体浆料时，印刷图案为由圆形单元组成的阵列，所述圆形单元的直径为20μm～1000μm，相邻圆形单元之间的距离为0.3mm～2.5mm，印刷厚度为5μm～35μm。

4.根据权利要求2所述的晶体硅太阳电池背面钝化介质层局部刻蚀方法，其特征是：步骤(1)中在晶体硅片背面钝化介质层上印刷玻璃体浆料时，印刷图案为由正多边形单元组成的阵列，所述正多边形单元外接圆的直径为20μm～1000μm，相邻正多边形单元之间的距离为0.3mm～2.5mm，印刷厚度为5μm～35μm。

5.根据权利要求2所述的晶体硅太阳电池背面钝化介质层局部刻蚀方法，其特征是：步骤(1)中在晶体硅片背面钝化介质层上印刷玻璃体浆料时，印刷图案为由矩形单元组成的阵列，所述矩形单元的长度为70μm～153mm，宽度为50μm～1000μm；相邻矩形单元在长度方向上的距离为0～2.5mm，宽度方向上的距离为0.3mm～2.5mm，印刷厚度为5μm～35μm。

6.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池背面钝化介质层局部刻蚀方法，其特征是步骤(1)中所述的局部刻蚀浆料含以下质量百分含量的组分：SiO₂ 55～80％、PbO₂ 10～35％、乙基纤维素5～25％、松油醇5～20％。

7.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池背面钝化介质层局部刻蚀方法，其特征是：步骤(2)中将晶体硅片进行中高温处理使局部刻蚀浆料刻蚀掉位于其下方的钝化介质层时的温度为200℃～800℃。

8.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池背面钝化介质层局部刻蚀方法，其特征是：步骤(3)中所述酸液为HF酸，其质量百分含量为1～20％，或所述酸液为HF酸和HCl的混合溶液，其中HF酸的质量百分含量为1～10％，盐酸的质量百分含量为1～10％，清洗时间为2s～100s。

9.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池背面钝化介质层局部刻蚀方法，其特征是：步骤(4)中干燥方式采用甩干。