[发明专利]内容可寻址存储器有效
| 申请号： | 201210043857.2 | 申请日： | 2012-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN102651234A | 公开（公告）日： | 2012-08-29 |
| 发明（设计）人： | 丸亀孝生;井口智明;杉山英行;石川瑞恵;齐藤好昭;木下敦宽;辰村光介 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C15/00 | 分类号： | G11C15/00;G11C15/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 王朝辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及内容可寻址存储器。一个实施例提供一种内容可寻址存储器，包括：自旋MOSFET对，所述自旋MOSFET对包括：第一自旋MOSFET，第一自旋MOSFET的磁化状态根据存储数据而设置；和第二自旋MOSFET，第二自旋MOSFET的磁化状态根据存储数据而设置，第二自旋MOSFET与第一自旋MOSFET并联连接；第一布线，第一布线被构造为施加栅电压，以使得第一自旋MOSFET和第二自旋MOSFET中的任何一个根据搜索数据变为导电；和第二布线，第二布线被构造为将电流施加于第一自旋MOSFET和第二自旋MOSFET这二者。 | ||
| 搜索关键词： | 内容 寻址 存储器 | ||
【主权项】：
一种内容可寻址存储器，包括：自旋MOSFET对，所述自旋MOSFET对包括：第一自旋MOSFET，所述第一自旋MOSFET的磁化状态根据存储数据而设置；和第二自旋MOSFET，所述第二自旋MOSFET的磁化状态根据所述存储数据而设置，所述第二自旋MOSFET与所述第一自旋MOSFET并联连接；第一布线，所述第一布线被构造为施加栅电压，以使得所述第一自旋MOSFET和所述第二自旋MOSFET中的任何一个根据搜索数据变为导电；和第二布线，所述第二布线被构造为将电流施加于所述第一自旋MOSFET和所述第二自旋MOSFET这二者。
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