[发明专利]半导体器件

摘要

本发明公开了一种半导体器件。本发明的目的是实现其中密封功率MOSFET的小表面安装封装的导通电阻的减小。硅芯片安装在与构成漏极引线的引线集成的芯片焊盘部上。硅芯片的主表面上具有源极焊盘和栅极焊盘。硅芯片的背面构成功率MOSFET的漏极，并经由Ag浆料键合至芯片焊盘部的顶表面。构成源极引线的引线经由Al带电耦合至源极焊盘，而构成栅极引线的引线经由Au线电耦合至栅极焊盘。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包含以下步骤：a.提供引线框，所述引线框包括芯片安装部、源极引线和栅极引线，其中所述芯片安装部、所述源极引线和所述栅极引线各自电隔离；b.提供半导体芯片，该半导体芯片包括功率MOSFET、正表面和与所述正表面相反的背表面，其中，源电极焊盘和栅电极焊盘形成于所述正表面上，并且其中，漏电极形成于所述背表面上；c.将所述半导体芯片安装在所述芯片安装部的顶表面上，并将所述半导体芯片的所述漏电极与所述芯片安装部电连接；d.使用第一键合工具将金属带电连接到所述半导体芯片的源电极焊盘并且电连接到所述引线框的所述源极引线；以及e.在步骤d之后，使用第二键合工具将金属线电连接到所述半导体芯片的栅电极焊盘并且电连接到所述引线框的所述栅极引线。