[发明专利]铝箔法恢复晶体硅极化组件的方法有效
| 申请号： | 201210041886.5 | 申请日： | 2012-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN102593251A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 姜猛;茅永俊;张臻;张晓青 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 王凌霄 |
| 地址： | 213031 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种铝箔法恢复晶体硅极化组件的方法，该方法为：除了接线盒和引出线，太阳能组件的其他部分用铝箔包裹严实，将直流恒压源与太阳能组件的引出线连接，施加电压，施加的电压在1000V-1500V之间，对于N型太阳能电池组件，直流恒压源的负极与太阳能组件的引出线的正极连接，直流恒压源的正极与铝箔连接；对于P型太阳能电池组件，直流恒压源的正极与太阳能组件的引出线的正极连接，直流恒压源的负极与铝箔连接。本发明的有益效果是：通过在太阳能组件表面紧密包裹一层铝箔，增加了组件表面导电性能并形成均匀等势体，可以加快恢复已产生极化现象组件，与常规恢复法相比，可加快提高40％左右的速率。 | ||
| 搜索关键词： | 铝箔 恢复 晶体 极化 组件 方法 | ||
【主权项】：
一种铝箔法恢复晶体硅极化组件的方法，其特征是：除了接线盒和引出线，太阳能组件(1)的其他部分用铝箔(2)包裹严实，将直流恒压源(3)与太阳能组件(1)的引出线连接，施加电压，施加的电压在1000V‑1500V之间，对于N型太阳能电池组件，直流恒压源(3)的负极与太阳能组件(1)的引出线的正极连接，直流恒压源(3)的正极与铝箔(2)连接；对于P型太阳能电池组件，直流恒压源(3)的正极与太阳能组件(1)的引出线的正极连接，直流恒压源(3)的负极与铝箔(2)连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
