[发明专利]铝箔法恢复晶体硅极化组件的方法有效
申请号: | 201210041886.5 | 申请日: | 2012-02-23 |
公开(公告)号: | CN102593251A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 姜猛;茅永俊;张臻;张晓青 | 申请(专利权)人: | 常州天合光能有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人: | 王凌霄 |
地址: | 213031 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 铝箔 恢复 晶体 极化 组件 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种铝箔法恢复晶体硅极化组件的方法。
背景技术
组件极化现象即PID(potential induced degradation),由于P型晶体硅光伏组件工作在负偏压下时(N型晶体硅光伏组件工作在正电压下时),导致其发电性能降低,功率输出明显偏低的一种现象。该种现象已被人们所了解,但是已发生极化现象的组件如何恢复并没有统一的方法,目前,一些研究人员只是对未加任何辅助材料的组件进行高压恢复,恢复时间较长,很难被用户和研究机构认可。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是:提供一种铝箔法恢复晶体硅极化组件的方法,加快发生极化现象的组件的功率恢复速率。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种铝箔法恢复晶体硅极化组件的方法,除了接线盒和引出线,太阳能组件的其他部分用铝箔包裹严实,将直流恒压源与太阳能组件的引出线连接,施加电压,施加的电压在1000V-1500V之间,对于N型太阳能电池组件,直流恒压源的负极与太阳能组件的引出线的正极连接,直流恒压源的正极与铝箔连接;对于P型太阳能电池组件,直流恒压源的正极与太阳能组件的引出线的正极连接,直流恒压源的负极与铝箔连接。
进一步限定,对太阳能组件施加电压时,检测漏电流。
进一步限定,具体步骤为:
a.准备铝箔一张;
b.除了接线盒和引出线,太阳能组件的其他部分用铝箔包裹严实;
c.将直流恒压源与太阳能组件的引出线连接,在直流恒压源和太阳能组件的连接电路中串入漏电流检测仪,直流恒压源与太阳能组件的连接方式为:对于N型太阳能电池组件,直流恒压源的负极与太阳能组件的引出线的正极连接,直流恒压源的正极与铝箔连接;对于P型太阳能电池组件,直流恒压源的正极与太阳能组件的引出线的正极连接,直流恒压源的负极与铝箔连接;
d.对太阳能组件施加电压1000V电压,并监控漏电流;
e.极化恢复过程中根据实际情况间隔一段时间通过监控的漏电流来确定极化组件的恢复情况及组件电池片的情况。
本发明的有益效果是:通过在太阳能组件表面紧密包裹一层铝箔,增加了组件表面导电性能并形成均匀等势体,可以加快恢复已产生极化现象组件,与常规恢复法相比,可加快提高40%左右的速率。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1是本发明的铝箔和太阳能组件的分体示意图;
图2是本发明的铝箔包裹太阳能组件的示意图;
图3是本发明的已产生极化现象的组件进行功率恢复时的电气连接图;
图中:1.太阳能组件,2.铝箔,3.直流恒压源,5.漏电流检测仪。
具体实施方式
如图1、2和3所示,一种铝箔法恢复晶体硅极化组件的方法,除了接线盒和引出线,太阳能组件1的其他部分用铝箔2包裹严实,将直流恒压源3与太阳能组件1的引出线连接,施加电压,施加的电压在1000V-1500V之间。
对于N型太阳能电池组件,直流恒压源3的负极与太阳能组件1的引出线的正极连接,直流恒压源3的正极与铝箔2连接。
对于P型太阳能电池组件,直流恒压源3的正极与太阳能组件1的引出线的正极连接,直流恒压源3的负极与铝箔2连接。
具体步骤为:
a.准备铝箔2一张;
b.除了接线盒和引出线,太阳能组件1的其他部分用铝箔2包裹严实;
c.将直流恒压源3与太阳能组件1的引出线连接,在直流恒压源3和太阳能组件1的连接电路中串入漏电流检测仪5,直流恒压源3与太阳能组件1的连接方式为:
对于N型太阳能电池组件,直流恒压源3的负极与太阳能组件1的引出线的正极连接,直流恒压源3的正极与铝箔2连接;
对于P型太阳能电池组件,直流恒压源3的正极与太阳能组件1的引出线的正极连接,直流恒压源3的负极与铝箔2连接;
d.对太阳能组件1施加电压1000V电压,并监控漏电流;
e.极化恢复过程中根据实际情况间隔一段时间通过监控的漏电流来确定极化组件的恢复情况及组件电池片的情况。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常州天合光能有限公司,未经常州天合光能有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210041886.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于浮空器的管道喷淋式除冰雪装置
- 下一篇:带有水雾分离器的通风筒装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的