[发明专利]消除高速背板杂讯的钻孔工艺无效

专利信息
申请号: 201210041060.9 申请日: 2012-02-22
公开(公告)号: CN103298259A 公开(公告)日: 2013-09-11
发明(设计)人: 钱文鲲 申请(专利权)人: 深南电路有限公司
主分类号: H05K3/00 分类号: H05K3/00;H05K3/42
代理公司: 深圳市维邦知识产权事务所 44269 代理人: 黄莉
地址: 518000 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明实施例公开了一种消除高速背板杂讯的钻孔工艺包括如下步骤,一次钻孔步骤:在母板上钻小通孔,小通孔的直径D1=D-a1,其中D为成孔直径;二次钻孔步骤:在母板的上、下板面的小通孔的区域控深钻大孔,大孔的直径D2=D+a2,大孔的控深深度为H2=h+a3,其中h为信号层深度;沉铜电镀;三次钻孔步骤:采用直径为D3=D-a4的钻刀沿小通孔轴线钻孔,去除小通孔孔壁的覆铜。本发明的钻孔工艺可有效去除过孔stub,提高信号的传输质量,且该钻孔工艺可直接在一次压合的母板上进行,不需分别进行两次子板压合和母板压合,降低了板件对位难度;不需采用树脂塞孔,通孔可作为压接孔,提高了板件设计密度。
搜索关键词: 消除 高速 背板 杂讯 钻孔 工艺
【主权项】:
一种消除高速背板杂讯的钻孔工艺,其特征在于,包括如下步骤:一次钻孔步骤:在母板上钻小通孔,小通孔的直径D1=D‑a1,其中D为成孔直径,a1∈(0.15mm~0.25mm);二次钻孔步骤:在母板的上、下板面的小通孔的区域控深钻大孔,大孔的直径D2=D+a2,大孔的控深深度为H2=h+a3,其中h为信号层深度,a2∈(0.1mm~0.15mm),a3∈(0.2mm~0.4mm);沉铜电镀步骤:依次采用化学沉积和电解的方法在孔壁上沉积形成第一铜层,铜厚为5~10μm;三次钻孔步骤:采用直径为D3=D‑a4的钻刀沿小通孔轴线钻孔,去除小通孔孔壁上的第一铜层,a4∈(0.05mm~0.15mm)。
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