[发明专利]一种双极性氧化亚锡反相器的制备方法有效
| 申请号： | 201210040980.9 | 申请日： | 2012-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN102593063A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 曹鸿涛;梁凌燕;刘志敏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01L21/8254 | 分类号： | H01L21/8254;H01L21/84 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 刘诚午 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双极性氧化亚锡反相器的制备方法，包括以下步骤：选择衬底，并进行栅介质层及输入端电极的制备，或者，选择衬底，在衬底上制备输出端电极、电源供应端电极及接地电极；采用电子束蒸发设备和氧化锡蒸发料，沉积氧化亚锡薄膜，之后进行第一次热退火处理，完成氧化亚锡沟道层的制备；制备输出端电极、电源供应端电极及接地电极，进行第二次退火处理，或者制备栅介质层及输入端电极，进行第二次退火处理，从而制备底栅结构或者顶栅结构的反相器；本发明制备方法简单可控，制备的双极性氧化亚锡反相器可同时工作在第一和第三象限，且具有较高的增益，在光电子器件、镜片、车窗、广告、医疗设备等领域中应用前景十分广阔。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 极性 氧化 亚锡反相器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种双极性氧化亚锡反相器的制备方法，包括以下步骤：1)选择衬底，并进行栅介质层及输入端电极的制备；2)采用电子束蒸发设备和氧化锡蒸发料，沉积氧化亚锡薄膜，之后进行第一次热退火处理，完成氧化亚锡沟道层的制备；3)制备输出端电极、电源供应端电极及接地电极，进行第二次退火处理，完成底栅结构的双极性氧化亚锡反相器的制备；或者，a)选择衬底，在衬底上制备输出端电极、电源供应端电极及接地电极；b)采用电子束蒸发设备和氧化锡蒸发料，沉积氧化亚锡薄膜，之后进行第一次热退火处理，完成氧化亚锡沟道层的制备；c)制备栅介质层及输入端电极，进行第二次退火处理，完成顶栅结构的双极性氧化亚锡反相器的制备。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
