[发明专利]一种双面硅纳米线阵列的制备方法无效
| 申请号： | 201210034487.6 | 申请日： | 2012-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN102556953A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 丁建宁;张福庆;郭立强;程广贵;凌智勇;张忠强;杨娟;孙东健 | 申请（专利权）人： | 江苏大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 212013 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及硅纳米线，特指一种双面硅纳米线阵列的制备方法。在较低温度条件下，利用溶液的腐蚀性和金属离子催化性相结合，在硅表面进行刻蚀得到硅纳米线阵列；包括硅表面清洗的步骤、氢钝化硅片表面的步骤、用化学镀法在硅片两个表面覆盖一层均匀的银纳米颗粒网络的步骤、双面硅纳米线阵列制备的步骤和多余银纳米颗粒去除的步骤。本发明的优点是其制备过程不需要昂贵设备和高温环境条件，具有操作简单、易控制等明显的优点，且成本低、效率高可应用于大型工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双面 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种双面硅纳米线阵列的制备方法，包括硅表面清洗的步骤、氢钝化硅片表面的步骤、用化学镀法在硅片两个表面覆盖一层均匀的银纳米颗粒网络的步骤、双面硅纳米线阵列制备的步骤和多余银纳米颗粒去除的步骤，其特征在于：所述用化学镀法在硅片两个表面覆盖一层均匀的银纳米颗粒网络的步骤为：将钝化后的硅片在室温下放入三号溶液中，并缓慢搅动30~90 s，然后用去离子水清洗，去除多余的银离子；所述三号溶液为HF酸和AgNO3混合溶液，其中每升混合溶液中含有HF酸为2.4~4.8 mol， 每升混合溶液中含有AgNO3为0.005 ~ 0.05 mol，处理过程中硅片在混合溶液中被垫起并固定；所述双面硅纳米线阵列制备的步骤为：在室温暗室环境下，放入到四号腐蚀液中刻蚀30‑60min，处理过程中硅片在溶液中被垫起并固定，处理好后将硅片用去离子水反复冲洗硅片的两个表面；所述号溶液为HF酸和H2O2混合溶液，其中每升混合溶液中含有HF酸为2.4‑4.8 mol，每升混合溶液中含H2O2溶液为0.15‑0.4 mol。
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