[发明专利]一种双面硅纳米线阵列的制备方法

权利要求书

1.一种双面硅纳米线阵列的制备方法，包括硅表面清洗的步骤、氢钝化硅片表面的步骤、用化学镀法在硅片两个表面覆盖一层均匀的银纳米颗粒网络的步骤、双面硅纳米线阵列制备的步骤和多余银纳米颗粒去除的步骤，其特征在于：所述用化学镀法在硅片两个表面覆盖一层均匀的银纳米颗粒网络的步骤为：将钝化后的硅片在室温下放入三号溶液中，并缓慢搅动30~90 s，然后用去离子水清洗，去除多余的银离子；所述三号溶液为HF酸和AgNO₃混合溶液，其中每升混合溶液中含有HF酸为2.4~4.8 mol， 每升混合溶液中含有AgNO₃为0.005 ~ 0.05 mol，处理过程中硅片在混合溶液中被垫起并固定；所述双面硅纳米线阵列制备的步骤为：在室温暗室环境下，放入到四号腐蚀液中刻蚀30-60min，处理过程中硅片在溶液中被垫起并固定，处理好后将硅片用去离子水反复冲洗硅片的两个表面；所述号溶液为HF酸和H₂O₂混合溶液，其中每升混合溶液中含有HF酸为2.4-4.8 mol，每升混合溶液中含H₂O₂溶液为0.15-0.4 mol。

2.如权利要求1所述的一种双面硅纳米线阵列的制备方法，其特征在于：所述硅表面清洗的步骤为：将硅片依次经过丙酮超声振荡清洗，酒精超声振荡清洗，然后放入一号溶液中煮沸30 min，用去离子水冲洗玻璃表面，用高纯氮气吹干；所述硅片为经过双面抛光处理的硅片，所述一号溶液由浓H₂SO₄和H₂O₂混合而成，浓H₂SO₄:H₂O₂的体积比=3:1，为达到双面清洗硅表面的目的，处理过程中硅片在溶液中被垫起并固定。

3.如权利要求1所述的一种双面硅纳米线阵列的制备方法，其特征在于：所述氢钝化硅片表面的步骤为：将表面清洗后的硅片放入二号溶液中，室温下处理3 min；所述二号溶液为HF酸溶液，其浓度为5wt%，以去除步骤1中形成的氧化层，处理过程中硅片在溶液中被垫起并固定。

4.如权利要求1所述的一种双面硅纳米线阵列的制备方法，其特征在于：所述多余银纳米颗粒去除的步骤为：将经双面硅纳米线阵列制备步骤后的硅片放入五号溶液中处理30分钟，之后取出硅片，并用去离子水反复清洗硅片表面，然后高纯氮气吹干；所述五号溶液中浓HNO₃和H₂O的体积比为1:1，所用浓HNO₃的浓度为65~68wt%，处理过程中硅片在溶液中被垫起并固定。