[发明专利]具有超大垂直矫顽力铁磁单晶薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201210033517.1 | 申请日： | 2012-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN102568815A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 赵建华;朱礼军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01F41/14 | 分类号： | H01F41/14 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种具有超大垂直矫顽力铁磁单晶薄膜的制备方法，包括如下步骤：步骤1：将衬底放入分子束外延设备样品架；步骤2：将衬底升至一预定温度，保持该温度一预定时间；步骤3：将衬底的温度降低至一预定温度，再利用分子束外延技术在衬底上生长缓冲层；步骤4：将衬底的降温至一预定温度，利用分子束外延技术在缓冲层上生长铁磁薄膜层。通过以上方法制备的具有超大垂直矫顽力铁磁单晶薄膜，其具有超大矫顽力、超高垂直磁各向异性和超高磁能积，同时具有工艺简单、易于集成、且不含贵金属又不含稀土元素等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 超大 垂直 矫顽力 铁磁单晶 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有超大垂直矫顽力铁磁单晶薄膜的制备方法，包括如下步骤：步骤1：将衬底放入分子束外延设备样品架；步骤2：将衬底升至一预定温度，保持该温度一预定时间；步骤3：将衬底的温度降低至一预定温度，再利用分子束外延技术在衬底上生长缓冲层；步骤4：将衬底的降温至一预定温度，利用分子束外延技术在缓冲层上生长铁磁薄膜层，完成具有超大垂直矫顽力铁磁单晶薄膜的制备。
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