[发明专利]具有超大垂直矫顽力铁磁单晶薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种具有超大垂直矫顽力铁磁单晶薄膜的制备方法，包括如下步骤：

步骤1：将衬底放入分子束外延设备样品架；

步骤2：将衬底升至一预定温度，保持该温度一预定时间；

步骤3：将衬底的温度降低至一预定温度，再利用分子束外延技术在衬底上生长缓冲层；

步骤4：将衬底的降温至一预定温度，利用分子束外延技术在缓冲层上生长铁磁薄膜层，完成具有超大垂直矫顽力铁磁单晶薄膜的制备。

2.如权利要求1所述的具有超大垂直矫顽力铁磁单晶薄膜的制备方法，其中所述衬底的材料为GaAs。

3.如权利要求1所述的具有超大垂直矫顽力铁磁单晶薄膜的制备方法，其中衬底升温的温度为560-800℃，保持时间不少于1分钟。

4.如权利要求1所述的具有超大垂直矫顽力铁磁单晶薄膜的制备方法，其中步骤3中衬底降温的温度为500-760℃。

5.如权利要求1所述的具有超大垂直矫顽力铁磁单晶薄膜的制备方法，其中缓冲层的材料为GaAs。

6.如权利要求1所述的具有超大垂直矫顽力铁磁单晶薄膜的制备方法，其中步骤4中衬底降温的温度为20℃至450℃。

7.如权利要求1所述的具有超大垂直矫顽力铁磁单晶薄膜的制备方法，其中铁磁薄膜层的材料为MnGa。