[发明专利]非对称读出放大器设计有效
| 申请号： | 201210033496.3 | 申请日： | 2012-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN102646440A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 吴经纬;陈冠廷;李政宏 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/06 | 分类号： | G11C7/06 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种电路，包括：第一反相器，包括第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管；第二反相器，包括第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管；第一节点，连接至第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管的栅极以及第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管的漏极；第二节点，连接至第二PMOS晶体管的栅极和第二NMOS晶体管的栅极以及第一PMOS晶体管的漏极和第一NMOS晶体管的漏极；第一电容器，具有第一电容，连接至第一节点；以及第二电容器，具有第二电容，连接至第二节点，其中，第二电容大于第一电容。本发明还提出了一种非对称读出放大器设计。 | ||
| 搜索关键词： | 对称 读出 放大器 设计 | ||
【主权项】：
一种电路，包括：第一反相器，包括第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管；第二反相器，包括第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管；第一节点，连接至所述第一PMOS晶体管的栅极和所述第一NMOS晶体管的栅极以及所述第二PMOS晶体管的漏极和所述第二NMOS晶体管的漏极；第二节点，连接至所述第二PMOS晶体管的栅极和所述第二NMOS晶体管的栅极以及所述第一PMOS晶体管的漏极和所述第一NMOS晶体管的漏极；第一电容器，具有第一电容，连接至所述第一节点；以及第二电容器，具有第二电容，连接至所述第二节点，其中，所述第二电容大于所述第一电容。
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