[发明专利]具有双温度区的静电吸盘的衬底支架有效
申请号: | 201210033377.8 | 申请日: | 2007-04-27 |
公开(公告)号: | CN102593031B | 公开(公告)日: | 2015-09-16 |
发明(设计)人: | 亚历山大·马蒂亚申;丹尼斯·库斯;桑托斯·帕纳格保罗斯;约翰·霍兰德 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/687 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;钟强 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种具有双温度区的静电吸盘的衬底支架。本发明公开了一种在衬底处理腔室中用于容纳衬底的静电吸盘,包括具有衬底容纳表面和具有多个隔开的台面的相对的背面的陶瓷圆盘。电极嵌入在陶瓷圆盘中以产生静电力以保持衬底。位于陶瓷圆盘的外围和中心部分的加热线圈允许对陶瓷圆盘的中心和外围部分进行温度独立控制。通过具有容纳空气的凹槽的底座支撑吸盘。吸盘和底座协作以允许在腔室中调整衬底的温度分布。 | ||
搜索关键词: | 具有 温度 静电 吸盘 衬底 支架 | ||
【主权项】:
一种在处理腔室中用于容纳衬底的衬底支架,所述衬底支架包括:(a)静电吸盘,所述静电吸盘包括:(i)包括衬底容纳表面和相对的背面、以及具有台阶的外围壁架的陶瓷圆盘;(ii)穿过所述陶瓷圆盘并且在所述衬底容纳表面上的端口处终止的多个热传送气体导管;和(iii)嵌入在所述陶瓷圆盘中的电极;(b)底座,所述底座包括金属主体,所述金属主体具有顶表面,所述顶表面包括吸盘容纳部分和外围部分,所述吸盘容纳部分容纳所述陶瓷圆盘的所述背面,所述外围部分径向向外延伸超过所述陶瓷圆盘,所述吸盘容纳部分包括跨过所述陶瓷圆盘的整个背面的外围凹槽;(c)边缘环,所述边缘环设置在所述陶瓷圆盘的所述外围壁架的台阶上;以及(d)锁紧环,所述锁紧环固定到所述底座上的所述外围部分,所述锁紧环具有径向向内延伸以放置在所述陶瓷圆盘的所述外围壁架上的唇缘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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