[发明专利]制备硅基InGaAsP为有源区的1550nm激光器的方法

摘要

一种制备硅基InGaAsP为有源区的1550nm激光器的方法，包括：在硅衬底上生长二氧化硅层；在二氧化硅层上沿着硅衬底的<110>方向刻蚀出沟槽；清洗；先在沟槽内依次生长第一缓冲层和第二缓冲层；接着在第二缓冲层和二氧化硅层上生长第三缓冲层，然后在第三缓冲层生长顶层；将顶层抛光，抛光后的粗糙度小于1nm，然后清洗；在顶层上依次外延第四缓冲层、刻蚀停止层以及激光器结构；将激光器结构刻蚀成深脊，在深脊上刻蚀成浅脊；在深脊和浅脊的表面及刻蚀停止层上生长二氧化硅绝缘层；在浅脊上形成窗口，去除刻蚀停止层上的二氧化硅绝缘层；在浅脊的窗口处溅射钛铂金P电极；在刻蚀停止层上蒸发金锗镍N电极；退火。

主权项

一种制备硅基InGaAsP为有源区的1550nm激光器的方法，包括以下步骤：步骤1：在硅衬底上生长二氧化硅层；步骤2：采用全息曝光和ICP方法，在二氧化硅层上沿着硅衬底的<110>方向刻蚀出沟槽；步骤3：分别用piranha、SC2、HF和去离子水清洗，除去沟槽底部剩余的二氧化硅层，露出硅衬底；步骤4：采用低压MOCVD的方法，先在沟槽内依次生长第一缓冲层和第二缓冲层，其高度超出二氧化硅层；接着在第二缓冲层和二氧化硅层上生长第三缓冲层，然后在第三缓冲层生长顶层，第三缓冲层和顶层采用SiH4掺杂；步骤5：采用化学机械抛光的方法，将顶层抛光，抛光后的粗糙度小于1nm，然后清洗；步骤6：采用MOCVD的方法，在顶层上依次外延第四缓冲层、刻蚀停止层以及激光器结构；步骤7：采用传统光刻、ICP刻蚀与湿法刻蚀结合的方法，将激光器结构刻蚀成深脊，在深脊上刻蚀成浅脊；步骤8：利用PECVD的方法，在深脊和浅脊的表面及刻蚀停止层上生长二氧化硅绝缘层；步骤9：采用多次光刻、刻蚀，在浅脊上形成窗口，去除刻蚀停止层上的二氧化硅绝缘层；步骤10：在浅脊的窗口处溅射钛铂金P电极；步骤11：在刻蚀停止层上蒸发金锗镍N电极；步骤12：退火，完成器件的制备。