[发明专利]一种石墨烯纳米带场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201210032909.6 | 申请日： | 2012-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN103258850A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 马中发;庄弈琪;张鹏;吴勇;张策;包军林 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/16;H01L21/04;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710071 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种石墨烯纳米带场效应晶体管及其制备方法，本发明采用石墨烯纳米带做为导电沟道材料以形成一定的禁带宽度；本发明利用二氧化铪(HfO2)做为顶栅和底栅介质材料，利用Au或Au/Ti做为金属接触。应用此方法所制作器件的开关电流比高达107，沟道电子的迁移率达到300cm2/Vs。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 纳米 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种石墨烯纳米带场效应晶体管，其特征在于，包括衬底、沟道层、HfO2材质的底栅介质层、HfO2材质的顶栅介质层、源电极、漏电极和顶栅电极，所述沟道层为采用石墨烯纳米带制成的沟道层，所述顶栅介质层和底栅介质层分别位于沟道层的上方和下方，衬底位于底栅介质层的下方，源电极和漏电极分别位于沟道层的两端，顶栅电极位于顶栅介质层上。
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