[发明专利]光电转换元件、及使用该元件的光电转换装置和成像系统有效
申请号: | 201210028226.3 | 申请日: | 2012-02-09 |
公开(公告)号: | CN102637711A | 公开(公告)日: | 2012-08-15 |
发明(设计)人: | 下津佐峰生;加藤太朗;关根康弘;篠原真人;市川武史;门间玄三 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 王朝辉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及光电转换元件、及使用该元件的光电转换装置和成像系统。一种聚光构件使入射在聚光构件的与绝缘膜的开口部分对应的第一区域上的光聚集在布置在所述开口部分内的光路构件的上部区域中,所述绝缘膜具有从所述开口部分延伸的上面,并且所述光路构件具有在与光电转换部分的光接收面对应的区域中的下面。 | ||
搜索关键词: | 光电 转换 元件 使用 装置 成像 系统 | ||
【主权项】:
一种光电转换元件,包括:光电转换部分;光路构件,所述光路构件布置在绝缘膜的开口部分内,所述绝缘膜具有从所述开口部分延伸的上面,并且所述光路构件具有在与所述光电转换部分的光接收面对应的区域中的下面;和聚光构件,所述聚光构件包括至少一个聚光透镜本体层;其中,所述光接收面位于第一平面中,并且所述上面位于第二平面中,所述第二平面与所述第一平面平行,并与所述第一平面相距距离T;并且其中,所述下面位于第三平面中,所述第三平面与所述第一平面平行,并朝向所述光接收面侧与所述第二平面相距距离D,所述距离D等于或小于所述距离T;并且其中,所述聚光构件使入射在所述聚光构件的与所述开口部分对应的第一区域上的光聚集在所述光路构件内的所述第二平面与第四平面之间的区域中,所述第四平面与所述第一平面平行,并朝向所述光接收面侧与所述第二平面相距距离D/2。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佳能株式会社,未经佳能株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210028226.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:多语言翻译的方法
- 下一篇:可变显示比例控制设备和可变播放速度控制设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的