[发明专利]静电放电保护装置有效
申请号: | 201210026450.9 | 申请日: | 2012-02-07 |
公开(公告)号: | CN103247615A | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
发明(设计)人: | 何介暐 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H02H9/04 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明是有关于一种静电放电保护装置,其包括修改型横向硅控整流器与电压控制电路。修改型横向硅控整流器具有第一端、第二端与连接第一P+型掺杂区的控制端,其中第一端与第二端分别电性连接第一配线与第二配线。电压控制电路电性连接第一配线、第二配线与控制端。当静电脉冲出现在第一配线时,电压控制电路供应由第一配线至控制端的电流路径。当输入信号供应至第一配线时,电压控制电路接收电源电压,并依据电源电压停止供应电流路径。 | ||
搜索关键词: | 静电 放电 保护装置 | ||
【主权项】:
一种静电放电保护装置,其特征在于其包括:一修改型横向硅控整流器,具有一第一端、一第二端与连接一第一P+型掺杂区的一控制端,其中该第一端与该第二端分别电性连接一第一配线与一第二配线;以及一电压控制电路,电性连接该第一配线、该第二配线与该控制端,其中当一静电脉冲出现在该第一配线时,该电压控制电路供应由该第一配线至该控制端的一电流路径。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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