[发明专利]RF功率放大器稳定性网络有效
| 申请号： | 201210026207.7 | 申请日： | 2007-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN102595761A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 萨尔瓦托雷·波利佐 | 申请（专利权）人： | MKS仪器有限公司 |
| 主分类号： | H05H1/46 | 分类号： | H05H1/46;H01J37/32;H03F3/217 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;宋志强 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种向等离子体室施加RF功率的射频(RF)发生器包括：DC电源(B+)。射频开关在中心频率f0产生所述RF功率。低通耗散终接网络连接在所述DC电源(B+)与所述开关之间，并包括在第一截止频率工作。所述开关向改进系统保真度的输出网络输出信号。所述输出网络产生馈给高通分谐波负载隔离滤波器的输出信号，所述滤波器传输预定频率以上的RF功率。低通谐波负载隔离滤波器可被插在所述输出网络与所述高通分谐波负载隔离滤波器之间，高通终接网络可以连接至所述输出网络的输出端。所述高通终接网络耗散在预定频率以上的RF功率。离线短路器或分流网络可连接在所述开关的输出端与所述输出网络的输入端之间，以用于在预定的频率将所述开关的输出端短路。 | ||
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【主权项】：
一种向等离子体室施加RF功率的射频发生器，包括：DC电源；在中心频率产生所述RF功率的射频晶体管；以及稳定性网络，所述稳定性网络包括：与所述DC电源和所述晶体管连线连接的低通终接网络，所述低通终接网络具有小于所述中心频率的第一截止频率；和与所述RF功率连线的高通滤波器，所述高通滤波器具有小于所述中心频率的第二截止频率，低通终接网络和高通滤波器与所述低通终接网络协作以在低于所述中心频率的预定工作频率上控制所述晶体管处的阻抗。
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