[发明专利]RF功率放大器稳定性网络

权利要求书

1.一种向等离子体室施加RF功率的射频发生器，包括：

DC电源；

在中心频率产生所述RF功率的射频晶体管；以及

稳定性网络，所述稳定性网络包括：

与所述DC电源和所述晶体管连线连接的低通终接网络，所述低通终接网络具有小于所述中心频率的第一截止频率；和

与所述RF功率连线的高通滤波器，所述高通滤波器具有小于所述中心频率的第二截止频率，低通终接网络和高通滤波器与所述低通终接网络协作以在低于所述中心频率的预定工作频率上控制所述晶体管处的阻抗。

2.根据权利要求1所述的射频发生器，其中所述第二截止频率大约等于所述中心频率的0.6倍。

3.根据权利要求1所述的射频发生器，其中所述高通耗散终接网络包括耗散元件。

4.根据权利要求1所述的射频发生器，进一步包括保真性网络，所述保真性网络包括：

与所述RF功率离线连接并具有大于所述中心频率的第三截止频率的高通终接网络；以及

与所述RF功率连线的低通滤波器，所述低通滤波器具有大于所述中心频率的第四截止频率，所述高通终接网络和所述低通滤波器协作以在高于所述中心频率的预定工作频率上控制所述晶体管处的阻抗。

5.根据权利要求4所述的射频发生器，其中所述高通耗散终接网络在预定的工作频率范围内呈现电抗。

6.根据权利要求4所述的射频发生器，其中所述第三截止频率大约等于所述中心频率的1.66倍。

7.根据权利要求4所述的射频发生器，其中所述第四截止频率大约等于所述中心频率的1.66倍。

8.根据权利要求4所述的射频发生器，进一步包括被连接至所述RF功率并包括小于所述中心频率的带通中心频率的带通滤波器。

9.根据权利要求8所述的射频发生器，其中所述带通中心频率是所述中心频率的0.5倍。

10.一种向等离子体室施加RF功率的射频发生器，包括：

在中心频率产生RF功率的射频晶体管；

被连接在所述晶体管中的相应晶体管与相关联的DC电源之间的低通耗散终接网络；以及

基于来自所述射频晶体管的所述RF功率产生RF功率信号的组合器，其中所述RF功率信号被施加到所述负载；并且

其中所述低通耗散终接网络具有小于所述中心频率的第一截止频率。

11.根据权利要求10所述的射频发生器，其中所述低通耗散终接网络包括相应的耗散元件。

12.根据权利要求10所述的射频发生器，其中所述低通耗散终接网络在预定的频率范围内呈现电抗。

13.根据权利要求10所述的射频发生器，其中所述第一截止频率大约等于所述中心频率的0.6倍。

14.根据权利要求10所述的射频发生器，进一步包括与来自所述晶体管的相应RF功率串联并具有小于所述中心频率的第二截止频率的高通滤波器。

15.根据权利要求14所述的射频发生器，其中所述第二截止频率大约等于所述中心频率的0.6倍。

16.根据权利要求10所述的射频发生器，进一步包括被连接至来自所述晶体管的相应RF功率并包括大于所述中心频率的第三截止频率的高通耗散终接网络。

17.根据权利要求16所述的射频发生器，其中所述高通耗散终接网络包括相应的耗散元件。

18.根据权利要求16所述的射频发生器，其中所述高通耗散终接网络在预定的频率范围呈现电抗。

19.根据权利要求16所述的射频发生器，其中所述第三截止频率大约等于所述中心频率的1.66倍。

20.根据权利要求10所述的射频发生器，进一步包括与来自所述晶体管的相应RF功率串联并包括大于所述中心频率的第四截止频率的低通滤波器。

21.根据权利要求20所述的射频发生器，其中所述第四截止频率大约等于所述中心频率的1.66倍。

22.根据权利要求10所述的射频发生器，进一步包括被连接至来自所述晶体管的相应RF功率并包括小于所述中心频率的带通中心频率的带通滤波器。