[发明专利]带有纳米结构体的发光二极管及其制备方法无效
| 申请号： | 201210026196.2 | 申请日： | 2012-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN102637800A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 陈伟新;阿利斯代尔·保罗·科德;瓦莱里·贝里曼-博斯奎特 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/36;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 陈平 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管(LED)及其制备方法。该LED包括：导电n型区(2)，所述导电n型区(2)形成在基板(1)上；有源区(3)，所述有源区(3)形成在所述n型区(2)上；第一p型区(4)，所述第一p型区(4)形成在所述有源区(3)上；多个纳米结构体(5)，所述多个纳米结构体(5)形成在所述第一p型区(4)上以进行从所述有源区(3)的光提取，所述纳米结构体(5)具有小于500nm的直径；第二p型区(6)，所述第二p型区(6)再生长在所述第一p型区(4)上以形成与所述纳米结构体(5)结合的非平面表面；以及p型电极(7)，所述p型电极(7)形成在所述非平面表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 纳米 结构 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管(LED)，所述发光二极管(LED)包括：导电n型区，所述导电n型区形成在基板上；有源区，所述有源区形成在所述n型区上；第一p型区，所述第一p型区形成在所述有源区上；多个纳米结构体，所述多个纳米结构体形成在所述第一p型区上以进行从所述有源区的光提取，所述纳米结构体具有小于500nm的直径；第二p型区，所述第二p型区再生长在所述第一p型区上以形成与所述纳米结构体结合的非平面表面；以及p型电极，所述p型电极形成在所述非平面表面上。
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