[发明专利]MTJ膜及其制造方法无效
| 申请号： | 201210025061.4 | 申请日： | 2012-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN102629660A | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 森馨;刈屋田英嗣;末光克巳;大岛则和 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种MTJ膜及其制造方法。用于制造MTJ膜的方法包括形成第一铁磁层；在该第一铁磁层上形成隧道势垒层；以及在该隧道势垒层上形成第二铁磁层。第一铁磁层是具有垂直磁各向异性的Co/Ni堆叠膜。用于形成隧道势垒层的步骤包括将单位膜形成处理重复n次(n是2或更大的整数)。该单位膜形成处理包括步骤：通过溅射法沉积Mg膜；以及氧化沉积的Mg膜。在第一次单位膜形成处理中沉积的Mg膜的膜厚度是0.3nm或更大且是0.5nm或更小。在第二次单位膜形成处理或之后的处理中沉积的Mg膜的膜厚度是0.1nm或更大且是0.45nm或更小。 | ||
| 搜索关键词： | mtj 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造MTJ膜的方法，所述方法包括步骤：形成第一铁磁层；在所述第一铁磁层上形成隧道势垒层；以及在所述隧道势垒层上形成第二铁磁层，其中所述第一铁磁层是具有垂直磁各向异性的Co/Ni堆叠膜，并且其中用于形成所述隧道势垒层的步骤包括将单位膜形成处理重复n次，n是2或更大的整数，并且其中所述单位膜形成处理包括步骤：通过溅射法沉积Mg膜；以及氧化沉积的Mg膜，并且其中在第一次单位膜形成处理中所述沉积的Mg膜的膜厚度是0.3nm或更大且0.5nm或更小；并且其中在第二次单位膜形成处理或之后的处理中所述沉积的Mg膜的膜厚度是0.1nm或更大且0.45nm或更小。
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