[发明专利]一种焦面变化测量装置与方法有效
申请号: | 201210024750.3 | 申请日: | 2012-02-03 |
公开(公告)号: | CN103246169A | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
发明(设计)人: | 王献英;李术新;段立峰 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G03F9/00;G01M11/02 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 201203 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提出一种焦面变化测量方法与装置,测量方法包括以下步骤:进入参考状态,标定参考曝光焦面的位置;更新基石相对所述参考曝光焦面的倾斜;进行参考掩模对准,获得参考对准焦面变化量,计算参考对准焦面位置;工件台基准板垂向运动到参考位置,调焦调平传感器测量所述工件台基准板上参考调平点的高度及倾斜值;启动曝光流程,在基底全局调平之前,计算所述调焦调平传感器零平面的漂移量;进行实际掩模对准,计算实际对准焦面变化量,获得实际曝光焦面的位置,从而保证曝光时基底始终位于最佳焦面。 | ||
搜索关键词: | 一种 变化 测量 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种焦面变化测量方法,其特征在于,包括以下步骤:1)进入参考状态,标定参考曝光焦面的位置;更新基石相对所述参考曝光焦面的倾斜;进行参考掩模对准,获得参考对准焦面变化量,计算参考对准焦面位置;工件台基准板垂向运动到参考位置,调焦调平传感器测量所述工件台基准板上参考调平点的高度及倾斜值;2)启动曝光流程,在基底全局调平之前,计算所述调焦调平传感器零平面的漂移量;进行实际掩模对准,计算实际对准焦面变化量,获得实际曝光焦面的位置。
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