[发明专利]具有铁电材料元件的存储器支持及其改进的非破坏性读取方法

摘要

本发明涉及具有铁电材料元件的存储器支持及其改进的非破坏性读取方法。一种用于非破坏性读取存储器中存储的信息数据的方法，该存储器包括第一字线、第一位线和第二位线以及第一铁电晶体管，第一铁电晶体管连接于位线之间并且具有耦合到第一字线的控制端子，该方法包括以下步骤：向第一字线施加第一读取电学量；生成在第一位线与第二位线之间的第一电势差；生成第一输出电学量；向第一字线施加第二读取电学量；生成在第一位线与第二位线之间的第二电势差；生成第二输出电学量；相互比较第一输出电学量与第二输出电学量；并且基于所述比较的结果来确定信息数据的逻辑值。

主权项

一种用于非破坏性读取存储器(10)中存储的信息数据的方法，所述存储器(10)包括第一字线(18a)、第一位线(16a)、第二位线(17a)和第一铁电晶体管(14)，所述第一铁电晶体管(14)具有耦合到所述第一位线的第一导电端子(20a)、耦合到所述第二位线(17a)的第二导电端子(20b)和耦合到所述第一字线的控制端子(20c)，并且包括在可以与所述信息数据的高逻辑值或者低逻辑值关联的稳定极化状态下的铁电材料层(26)，所述方法包括以下步骤：‑向所述第一字线(18a)施加第一写入电学量(Vread)以将所述第一铁电晶体管的所述控制端子(20c)偏置于第一偏置值(Vread)而未引起所述铁电材料层(26)的所述稳定极化状态的变化；‑生成在所述第一位线与所述第二位线(16a，17a)之间的第一电势差(Vsense)；‑生成第一输出电学量(i_TOT；V_a)，所述第一输出电学量(i_TOT；V_a)表明在施加第一读取电学量和所述第一电势差(Vsense)期间在所述第一位线与所述第二位线(16a，17a)之间流动的电流；‑向所述第一字线(18a)施加第二读取电学量(V_ref)以将所述第一铁电晶体管的所述控制端子(20c)偏置于与所述第一偏置值(Vread)不同的第二偏置值(V_ref)而未引起所述铁电材料层(26)的所述稳定极化状态的变化；‑生成在所述第一位线与所述第二位线(16a，17a)之间的第二电势差(Vsense)；‑生成第二输出电学量(i_TOT；V_b)，所述第二输出电学量(i_TOT；V_b)表明在施加所述第二读取电学量和所述第二电势差(Vsense)期间在所述第一位线与所述第二位线(16a，17a)之间流动的电流；‑相互比较所述第一输出电学量与所述第二输出电学量(V_a，V_b)；并且‑基于所述比较的结果来确定所述信息数据的逻辑值。