[发明专利]非易失性存储系统及其编程方法无效
| 申请号： | 201210023878.8 | 申请日： | 2012-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN102915765A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 金秀吉 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种非易失性存储系统及其编程方法。所述非易失性存储系统包括：非易失性存储器单元阵列；输入/输出(I/0)控制电路，所述I/O控制电路被配置为控制所述非易失性存储器单元阵列的编程操作或读取操作；以及控制器，所述控制器被配置为储存代表所述非易失性存储器单元阵列中所包括的存储器单元的电阻状态的电阻-电流(R-I)曲线的式子、施加基于所述式子计算出的初始编程电流、基于经受所述初始编程电流的存储器单元的电阻来计算所述式子、基于从所述计算获得的所述式子来预测再编程电流、并控制所述I/O控制电路。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储系统 及其 编程 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储系统，包括：非易失性存储器单元阵列；输入/输出I/O控制电路，所述I/O控制电路被配置为控制所述非易失性存储器单元阵列的编程操作或读取操作；以及控制器，所述控制器被配置为储存代表所述非易失性存储器单元阵列中所包括的存储器单元的电阻状态的电阻‑电流R‑I曲线的式子、施加基于所述式子计算出的初始编程电流、基于经受所述初始编程电流的存储器单元的电阻来计算所述式子、基于从所述计算获得的所述式子来预测再编程电流、并控制所述I/O控制电路。
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