[发明专利]一种用于等离子体处理装置的载片台有效
| 申请号： | 201210022071.2 | 申请日： | 2012-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN103227086A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 陶铮;凯文·佩尔斯;松尾裕史;曹雪操 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/20 | 分类号： | H01J37/20;H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种应用于等离子体处理装置的用于承载玻璃基片的载片台，其中，包括：第一电极，其与具有第一频率的射频电源连接，用于产生等离子体，静电吸盘，其位于所述第一电极上方，其中，所述静电吸盘包括：第一电介质层，其埋设有用于产生静电吸力的电极；电介质层，其位于所述第一电介质层的下方，所述电介质层至少包括对应于玻璃基片中央区域的第一区域，对应于玻璃基片边缘区域的第三区域，以及位于所述第一区域和所述第三区域之间的第二区域；驱动装置，其用于可选地驱动所述第一区域、第二区域和第三区域的其中之一进行垂直方向上的伸缩。本发明还提供了一种包括所述载片台的等离子体处理装置。本发明能够改善边缘效应，实现制程均一性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 等离子体 处理 装置 载片台 | ||
【主权项】：
一种应用于等离子体处理装置的用于承载玻璃基片的载片台，其中，所述玻璃基片位于所述载片台上方，其特征在于，所述载片台包括：第一电极，其与具有第一频率的射频电源连接，用于产生等离子体，静电吸盘，其位于所述第一电极上方，其中，所述静电吸盘包括：电介质层，所述电介质层至少包括对应于玻璃基片中央区域的第一区域，对应于玻璃基片边缘区域的第三区域，以及位于所述第一区域和所述第三区域之间的第二区域，驱动装置，其用于可选地驱动所述第一区域、第二区域和第三区域的其中之一进行垂直方向上的伸缩。
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