[发明专利]一种用于等离子体处理装置的载片台

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种用于等离子体处理装置的载片台。

背景技术

半导体工艺件的边缘效应是困扰半导体产业的一个问题。所谓半导体工艺件的边缘效应是指在等离子体处理过程中，由于等离子体受电场控制，而上下两极边缘处的场强会受边缘条件的影响，总有一部分电场线弯曲，而导致电场边缘部分场强不均，进而导致该部分的等离子体浓度不均匀。在该种情况下，生产出的半导体工艺件周围也存在一圈处理不均匀的区域。这一不均匀现象在射频电场频率越高时越明显，在射频频率大于60MHZ甚至大于100Mhz时这一等离子浓度的不均匀性程度已经很难再用其它装置如位于静电夹盘边缘的聚集环来调控。

由于半导体工艺件是圆形的，因此愈外圈面积愈大，边缘部分的各个工艺环节的均一性不佳将导致成品率显著下降。在普遍采用300mm制程的今天，半导体工艺件边缘效应带来的损失更为巨大。

因此，业内需要能够简单有效地改善边缘效应，提高制程均一性。

发明内容

针对背景技术中的上述问题，本发明提出了能够改善均一性的用于等离子体处理装置的载片台。

本发明第一方面提供了一种应用于等离子体处理装置的用于承载玻璃基片的载片台，其中，所述玻璃基片位于所述载片台上方，其特征在于，所述载片台包括：

第一电极，其与具有第一频率的射频电源连接，用于产生等离子体，

静电吸盘，其位于所述第一电极上方，其中，所述静电吸盘包括：

电介质层，其位于所述第一电介质层的下方，所述电介质层至少包括对应于玻璃基片中央区域的第一区域，对应于玻璃基片边缘区域的第三区域，以及位于所述第一区域和所述第三区域之间的第二区域；

驱动装置，其用于可选地驱动所述第一区域、第二区域和第三区域的其中之一进行垂直方向上的伸缩。

可选地，分别位于所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域的电介质的介电值相同。

可选地，所述驱动装置可选地驱动所述第一区域和第二区域进行垂直方向上的伸缩。

可选地，所述第一区域进行垂直方向上的伸缩产生的位于所述第一区域的真空空洞的体积大于所述第二区域进行垂直方向上的伸缩产生的位于所述第二区域的真空空洞的体积。

可选地，所述第一区域进行垂直方向上的伸缩产生的位于所述第一区域的真空空洞的体积等于所述第二区域进行垂直方向上的伸缩产生的位于所述第二区域的真空空洞的体积。

可选地，分别位于所述第一区域、第二区域和第三区域的电介质的介电值不同。

可选地，位于所述第一区域的电介质的介电值小于所述第二区域的电介质的介电值以及所述第三区域的电介质的介电值。

进一步地，所述驱动装置包括电机装置、液压装置、气压装置。

其中，所述第一频率为13M赫兹以上。

本发明第二方面还提供了一种等离子体处理装置，其中，包括本发明第一方面提供的载片台。

其中，所述第一频率为13M赫兹以上。

本发明提供的载片台及包括该载片台的等离子体处理装置能够简单有效地改善边缘效应，提高制程均一性。

附图说明

图1是SOG的结构示意图；

图2是SOG受热后表面突起的结构示意图；

图3是本发明的第一具体实施例的真空处理装置的载片台结构示意图；

图4是本发明对玻璃基片进行区域划分的示意图；

图5是本发明的第二具体实施例的真空处理装置的载片台结构示意图；

图6是本发明的第三具体实施例的真空处理装置的载片台结构示意图；

图7是本发明的第四具体实施例的真空处理装置的载片台结构示意图；

图8是本发明的第五具体实施例的真空处理装置的载片台结构示意图；

图9是本发明的第六具体实施例的真空处理装置的载片台结构示意图；

图10是本发明发明效果示意图。

具体实施方式

以下结合附图，对本发明的具体实施方式进行说明。

本发明通过将在真空处理装置的位于下电极和玻璃基片之间的电介质划分为多个可在垂直方向上伸缩移动的区域，以在对应于玻璃基片的不同位置产生一个或多个空洞，来改变所述下电极和玻璃基片下表面之间等效电容的介电常数，从而进一步改变所述等效电容的大小，以实现对玻璃基片的制程均一性进行优化。