[发明专利]发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像的呈现方法无效
| 申请号： | 201210019165.4 | 申请日： | 2012-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN103219256A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 郑炫墩 | 申请（专利权）人： | 艾特麦司股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶;於毓桢 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是关于一种发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像的呈现方法，借此以方便工程人员有效监控磊晶设备腔室内的变化，进而改善生产良率。该方法包含下列步骤：对多批发光二极体磊晶片上的多个量测位置进行量测，以获得每一量测位置的量测资料，其中每一磊晶片具有对应于相关磊晶载盘上的配置位置的第一序列，以及每一量测位置具有对应于相关磊晶片上的地址的第二序列；依照该第一序列以及该第二序列，借由颜色标度方式以各批发光二极体磊晶片的量测资料来建立对应磊晶载盘位置量测分布图像；以及在显示介面上以重叠方式依序显示各批发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 二极体 晶片 对应 磊晶载盘 位置 分布 图像 呈现 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像的呈现方法，包含下列步骤：对多批发光二极体磊晶片上的多个量测位置进行量测，以获得每一量测位置的量测资料，其中每一磊晶片具有对应于相关磊晶载盘上的配置位置的第一序列，以及每一量测位置具有对应于相关磊晶片上的地址的第二序列；依照该第一序列以及该第二序列，借由颜色标度方式以各批发光二极体磊晶片的量测资料来建立对应磊晶载盘位置量测分布图像；及在显示介面上以重叠方式依序显示各批发光二极体磊晶片的对应磊晶载盘位置量测分布图像。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于艾特麦司股份有限公司，未经艾特麦司股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210019165.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
