[发明专利]一种基于宝石衬底的宽波段薄膜型光电探测器的制备方法有效
申请号: | 201210019094.8 | 申请日: | 2012-01-20 |
公开(公告)号: | CN102544221A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 侯云;黄志明;高艳卿;吴敬;张雷博;周炜;张琰;褚君浩 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 200083 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于蓝宝石衬底的宽波段薄膜型光电探测器的制备方法。其中包括:衬底的清洗,薄膜的生长,电极的制备。其特征在于采用湿化学法制备Mn-Co-Ni-O薄膜,选取醋酸锰、醋酸钴、醋酸镍为原料,以冰醋酸作溶剂,分别配制导电类型是n和p的前驱体溶液,然后使用匀胶机和快速退火炉来制备薄膜材料。采用本方法制备的探测器可以实现紫外-可见-红外宽波段探测。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 宝石 衬底 波段 薄膜 光电 探测器 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种基于蓝宝石衬底的宽波段薄膜型光电探测器的制备方法,其特征在于包括以下步骤:1).衬底的清洗:选择蓝宝石衬底,用常规的方法清洗,去除衬底表面的杂质和污物,然后烘干备用;2).薄膜的生长:采用专利ZL:200610030144.7中所述的湿化学法制备Mn‑Co‑Ni‑O薄膜,选取醋酸锰、醋酸钴、醋酸镍为原料,以冰醋酸作溶剂,分别配制导电类型是n和p的前驱体溶液,然后使用匀胶机和快速退火炉来制备薄膜材料;先在蓝宝石衬底上生长导电类型为n型的Mn‑Co‑Ni‑O薄膜(2),在导电类型为n型的Mn‑Co‑Ni‑O薄膜(2)上继续生长导电类型为p型的Mn‑Co‑Ni‑O薄膜(3),这样就制备出导电类型为p型和n型Mn‑Co‑Ni‑O薄膜叠加结构,形成pn结;3).电极的制备:采用刻蚀工艺除去一部分导电类型为n型的Mn‑Co‑Ni‑O薄膜(2)和导电类型为p型的Mn‑Co‑Ni‑O薄膜(3),其中导电类型为p型的Mn‑Co‑Ni‑O薄膜(3)全部去除,导电类型为n型的Mn‑Co‑Ni‑O薄膜(2)去除1/10‑2/3厚度,在露出的导电类型为n型Mn‑Co‑Ni‑O薄膜(2)上用掩模板保护,制备上一块导电层作为底电极(5);在导电类型为p型Mn‑Co‑Ni‑O薄膜(2)的部分膜面上用掩模板保护,制备上一块导电层作为顶电极(4)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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