[发明专利]一种基于宝石衬底的宽波段薄膜型光电探测器的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种宽波段薄膜型光电探测器，特别涉及一种基于蓝宝石衬底，用多元过渡金属氧化物Mn-Co-Ni-O薄膜制备出pn结的新型宽波段光电探测器的制备方法。

背景技术

探测器件是光电技术发展的关键和基础，在科技和民用等方面发挥着重要的作用。光电探测器是探测器中灵敏度最高的一类，具有探测率高，响应速度快的特点，但它工作一般都有特定的波长范围。通常情况下，氮化镓(GaN)探测器的工作波段是250～400nm，Si基探测器的工作波段是400～800nm，铟镓砷(InGaAs)探测器的工作波段是900～1700nm。追求发展宽波段光电探测器一直是人们努力的方向，为此发展新材料体系，进一步拓宽探测器的工作波段(250～1700nm)将存在非常重要的实际应用价值。

多元过渡金属氧化物Mn-Co-Ni-O材料是目前发现的唯一的一种全波段热敏辐射探测材料。该氧化物具有半导体性质，温度低时载流子数目少，因而其电阻值较高；随着温度的升高，载流子数目增加，其电阻值降低。用它所制备的器件具有200纳米-50微米极宽阔的光响应波段，寿命长和价格便宜的优点。Mn-Co-Ni-O材料有高的电阻温度系数，其热敏特性已在热敏电阻器件、红外探测器等方面有着重要的应用，而且研究发现它具有丰富的物理特性，利用该材料的光电特性和器件结构的设计，可产生光生伏特效应，实现Mn-Co-Ni-O材料作为光电探测材料的应用。本专利采用Mn-Co-Ni-O过渡金属氧化物薄膜的制备和器件结构的设计，以实现宽波段(250～1700nm)探测的目标。

发明内容

本发明提供了一种基于蓝宝石衬底的宽波段薄膜型光电探测器的制备方法。利用Mn-Co-Ni-O薄膜材料导电类型的不同，采用湿化学法在蓝宝石衬底上制备出导电类型为p型和n型的Mn-Co-Ni-O薄膜叠加结构，形成pn结，有光入射时可发生光生伏特效应，实现紫外-可见-红外宽波段探测。

下面我们结合附图对本专利做详细的阐述。

探测器的结构如图1所示，包括：蓝宝石片衬底1、导电类型为n型的Mn-Co-Ni-O薄膜2、导电类型为p型的Mn-Co-Ni-O薄膜3、顶电极4和底电极5，其特征在于：在蓝宝石片衬底1上依次制备膜厚为100纳米到9微米的导电类型为n型的Mn-Co-Ni-O薄膜2，膜厚为100纳米到9微米的导电类型为p型的Mn-Co-Ni-O薄膜3；在导电类型为p型的Mn-Co-Ni-O薄膜3的部分膜面上制作一块导电层作为顶电极4，底电极5制作在去除一部分导电类型为p型的Mn-Co-Ni-O薄膜3和1/10-2/3厚度的导电类型为n型的Mn-Co-Ni-O薄膜2后露出的导电类型为n型的Mn-Co-Ni-O薄膜2上。

器件的制备方法如图2所示，包括：

1.衬底的清洗：

选择蓝宝石衬底，用常规的方法清洗，去除衬底表面的杂质和污物，然后烘干备用。

2.薄膜的生长：

采用专利ZL：200610030144.7中所述的湿化学法制备Mn-Co-Ni-O薄膜，选取醋酸锰、醋酸钴、醋酸镍为原料，以冰醋酸作溶剂，分别配制导电类型是n和p的前驱体溶液，然后使用匀胶机和快速退火炉来制备薄膜材料。

先是在蓝宝石衬底1上生长导电类型为n型的Mn-Co-Ni-O薄膜2，在导电类型为n型的Mn-Co-Ni-O薄膜2上继续生长导电类型为p型的Mn-Co-Ni-O薄膜3，这样就制备出导电类型为p型和n型Mn-Co-Ni-O薄膜叠加结构，形成pn结。

3.电极的制备：

采用刻蚀工艺除去一部分导电类型为n型的Mn-Co-Ni-O薄膜2和导电类型为p型的Mn-Co-Ni-O薄膜3，其中导电类型为p型的Mn-Co-Ni-O薄膜3全部去除，导电类型为n型的Mn-Co-Ni-O薄膜2去除1/10-2/3厚度，在露出的导电类型为n型Mn-Co-Ni-O薄膜2上用掩模板保护，制备上一块导电层作为底电极5；在导电类型为p型Mn-Co-Ni-O薄膜2的部分膜面上用掩模板保护，制备上一块导电层作为顶电极4。

本发明的制备方法有如下积极效果和优点：

1.选择蓝宝石片作为衬底，在蓝宝石衬底上生长的Mn-Co-Ni-O薄膜有很好的结晶性。

2.Mn-Co-Ni-O材料是全波段的热敏探测材料，本发明利用该材料的光电特性和器件结构的设计，可产生光生伏特效应，用于制备紫外-可见-红外宽波段光电探测器件，拓展了Mn-Co-Ni-O薄膜材料的应用范围。