[发明专利]沟槽型功率晶体管组件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种沟槽型功率晶体管组件包括一基底、一外延层、一扩散掺杂区、一源极掺杂区以及一栅极结构。基底、扩散掺杂区与源极掺杂区具有一第一导电类型，且基底具有一有源区以及一终端区。外延层设于基底上，且具有一第二导电类型，其中外延层具有位于有源区的一穿孔。扩散掺杂区设于穿孔一侧的外延层中，且与基底相接触。源极掺杂区设于扩散掺杂区的正上方的外延层中，且栅极结构设于扩散掺杂区与源极掺杂区之间的穿孔中。

主权项

一种沟槽型功率晶体管组件，其特征在于，包括：一基底，具有一第一导电类型，且所述基底具有一有源区以及一终端区；一外延层，设于所述基底上，且具有不同于所述第一导电类型的一第二导电类型，其中所述外延层具有至少一第一穿孔以及至少一第二穿孔，分别贯穿所述外延层，所述第一穿孔位于所述有源区，且所述第二穿孔位于所述终端区；一第一扩散掺杂区，设于所述第一穿孔一侧的所述外延层中，且与所述基底相接触，其中所述第一扩散掺杂区具有所述第一导电类型；一源极掺杂区，设于所述第一扩散掺杂区的正上方的所述外延层中，且所述源极掺杂区具有所述第一导电类型；一栅极结构，设于所述第一扩散掺杂区与所述源极掺杂区之间的所述第一穿孔中；一第二扩散掺杂区，设于所述第二穿孔一侧的所述外延层中，且与所述基底相接触，其中所述第二扩散掺杂区具有所述第一导电类型；以及一终端导电层，设于所述第二扩散掺杂区上方的所述第二穿孔中。